ASFET de qualité automobile pour avalanches répétitives

Les transistors à effet de champ spécifiques à l'application (ASFET) de qualité automobilee de Nexperia optimisent les MOSFET pour gérer confortablement les courants d'avalanches répétitives tout en maintenant une température de jonction inférieure à 175°C ; ceci offre un dispositif robuste qui permet de nombreuses économies au niveau du système. Lors de l'utilisation de MOSFET pour alimenter des charges inductives telles que des solénoïdes de commande, la plupart des conceptions de circuits incluent des composants supplémentaires pour protéger le MOSFET lorsque le courant de charge continue de circuler pendant la désactivation. Cela peut aller des topologies d'élévation hautement efficaces mais coûteuses réutilisant l'énergie, à l'approche moins efficace mais plus rentable consistant à utiliser une diode de roue libre. L'option alternative simple d'une configuration à avalanches répétitives n'a historiquement été possible qu'en utilisant la technologie planaire, mais les ASFET de qualité automobile de Nexperia offrent une alternative à tranchée moderne.

Fonctionnalités et avantages

• Performances d'avalanches répétitives garanties, testées jusqu'à 1 milliard de cycles
• Technologie au silicium robuste combinée aux performances thermiques du LFPAK, garantissant une température de puce inférieure à +175°C
• Simplicité d'utilisation d'un seul MOSFET réduisant la complexité du circuit et la nomenclature, permettant ainsi de réduire les coûts et l'espace du système
• Alternative à tranchée moderne par rapport aux anciennes technologies planaires
• Rendement accru et commutation plus rapide par rapport à l'approche à diode de roue libre

Ressources

• AN50003 : Solénoïdes de commande dans les applications automobiles
• AN10273 : Indice de résistance aux avalanches simples et répétitives des MOSFET de puissance