Circuit d'attaque de grille double MOSFET NGD4300

Le NGD4300 de Nexperia comprend une gamme de circuit d'attaque de grille double MOSFET hautes performances, conçus pour attaquer les MOSFET à canal N haut potentiel et bas potentiel dans des configurations synchrones de type abaisseur ou demi-pont. Ces dispositifs sont conçus pour fournir des capacités d'attaque de grille robustes et efficaces avec un courant source de crête de 4 A et un courant d'absorption de crête de 5 A. Le circuit d'attaque haut potentiel flottant peut fonctionner avec des tensions de rail jusqu'à 120 V et utilise une alimentation auto-élévatrice intégrant une diode. Les circuits d'attaque de sortie bas potentiel et haut potentiel disposent de circuits de verrouillage en cas de sous-tension (UVLO) indépendants, qui désactivent le circuit d'attaque de sortie lorsque l'alimentation du circuit d'attaque est inférieure à son niveau de seuil.

Le NGD4300 accepte des signaux de contrôle d'entrée conformes à la signalisation TTL et CMOS de seulement 2,5 V (±10 %), ce qui garantit la compatibilité avec divers systèmes de contrôle. La basse tension, fournie par un régulateur de tension interne, est utilisée pour alimenter les circuits dans les trajets de signal contrôlant les commutateurs d'alimentation bas potentiel et haut potentiel ; cela permet un fonctionnement basse consommation et des performances de circuit d'attaque mieux contrôlées quelle que soit la tension d'alimentation du circuit intégré. Une excellente correspondance de retard de 1 ns typique est obtenue pour les trajets de signal bas potentiel et haut potentiel. Le NGD4300 est proposé dans des boîtiers SO8, HWSON8 et HSO8, et il fonctionne sur une plage de températures étendue de -40°C à +125°C.