Les MOSFET à canal N hautes performances de Nexperia sont conçus pour une gestion efficace de l'alimentation dans diverses applications. Ces MOSFET utilisent la technologie TrenchMOS pour offrir des performances et une fiabilité supérieures. Ils sont disponibles en boîtiers compacts LFPAK56 et LFPAK88, ce qui en fait un choix parfait pour les conceptions où l'espace est restreint. Avec des fonctionnalités telles qu'un courant de drain de crête élevé, une faible valeur RDS(ON) et une haute température de jonction de fonctionnement, ces MOSFET conviennent à un large éventail d'applications, notamment le redressement synchrone, les convertisseurs CC/CC, la commande de moteurs et les systèmes de gestion de l'alimentation. La série PSMN offre à la fois des options d'attaque de grille de niveau logique et standard, offrant ainsi une grande flexibilité pour différentes exigences de conception. Ces MOSFET sont également qualifiés jusqu'à +175°C, ce qui garantit des performances robustes dans les environnements exigeants.
Fonctionnalités
- ASFET à canal N
- Tension drain-source maximale de 100 V
- Faible RDS(ON) de 53 mΩ (PSMN047-100NSE)
- Faible RDS(ON) de 82 mΩ (PSMN071-100NSE)
- SOA améliorée
- Boîtier compact DFN2020
- 60 % plus compact que le boîtier LFPAK33
- Faibles pertes I2R par conduction
- Fuites IDSS très faibles
- Capacité PoE haute puissance (60 W et plus)
- Commutateur de charge tolérant aux pannes
- Gestion efficace des appels
- Alimentations convenant aux applications eFuse
- Remplacement fiable de relais
- Gestion thermique robuste
Applications
- Systèmes PoE
- Solutions PoE propriétaires et IEEE802.3at
- Gestion des appels
- Applications eFuse
- Systèmes de gestion des batteries
- Remplacement de relais
- Points d'accès Wi-Fi®
- Picocellules 5G
- Systèmes de vidéosurveillance
- Commutateurs de charge haut potentiel
- Automatisation industrielle
- Équipements de télécommunication
- Data centers
- Infrastructure réseau
- Électronique grand public
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Les MOSFET à canal N hautes performances de Nexperia sont conçus pour une gestion efficace de l'alimentation dans diverses applications. Ces MOSFET utilisent la technologie TrenchMOS pour offrir des performances et une fiabilité supérieures. Ils sont disponibles en boîtiers compacts LFPAK56 et LFPAK88, ce qui en fait un choix parfait pour les conceptions où l'espace est restreint. Avec des fonctionnalités telles qu'un courant de drain de crête élevé, une faible valeur RDS(ON) et une haute température de jonction de fonctionnement, ces MOSFET conviennent à un large éventail d'applications, notamment le redressement synchrone, les convertisseurs CC/CC, la commande de moteurs et les systèmes de gestion de l'alimentation. La série PSMN offre à la fois des options d'attaque de grille de niveau logique et standard, offrant ainsi une grande flexibilité pour différentes exigences de conception. Ces MOSFET sont également qualifiés jusqu'à +175°C, ce qui garantit des performances robustes dans les environnements exigeants.
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