MOSFET PSMNxRx pour la gestion de l'alimentation

Les MOSFET à canal N hautes performances PSMN2R3-100SSE et PSMN1R9-80SSE de Nexperia sont conçus pour offrir un rendement et une fiabilité supérieurs dans les applications de gestion de l'alimentation. Ces dispositifs font partie des MOSFET spécifiques à une application (ASFET) de Nexperia pour le remplacement à chaud et le démarrage progressif, offrant des performances SOA (aire de sécurité) améliorées. Le PSMN2R3-100SSE offre une tension drain-source maximale (V_DS) de 100 V et une résistance à l'état passant R_DS(ON) ultrafaible de 2,3 mΩ, tandis que le PSMN1R9-80SSE fournit des valeurs V_DS de 80 V et R_DS(ON) de 1,9 mΩ. Les deux dispositifs sont logés dans le boîtier LFPAK88 (SOT1235) compact et hautement fiable, qui garantit d'excellentes performances thermiques et une grande robustesse. Ces MOSFET conviennent aux applications telles que le remplacement à chaud, les commutateurs de charge, le démarrage progressif et les fusibles électroniques dans les systèmes informatiques et de télécommunications basés sur un rail d'alimentation ou un fond de panier de 48 V. Grâce à de faibles pertes par conduction, une haute tenue en courant et un fonctionnement robuste en mode linéaire, les dispositifs PSMN2R3-100SSE et PSMN1R9-80SSE constituent la solution idéale pour les conceptions exigeantes en matière de gestion de l'alimentation.