Transistors de puissance RF de 100 W en boîtier TO-220

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            Transistors de puissance RF de 100 W en boîtier TO-220
  
                    Les transistors RF LDMOS de NXP simplifient la fabrication grâce à des types de boîtier aux normes de l'industrie et à de nombreuses options de brochage

Image des transistors de puissance RF de 100 W de NXP en boîtier TO-220 Les transistors de puissance RF MRF101AN et MRF101BN 100 W de NXP sont conçus pour une utilisation dans les communications VHF/UHF, les émissions de télévision VHF et les applications aérospatiales, ainsi que dans les applications médicales, industrielles et scientifiques. Ces dispositifs sont extrêmement robustes et affichent des performances élevées jusqu'à 250 MHz.

La technologie LDMOS est maintenant disponible pour ces transistors RF dans des boîtiers de puissance TO-220 universels, permettant aux clients d'utiliser des processus d'assemblage bien établis. Ces transistors sont disponibles avec des circuits de référence très compacts qui sont réutilisables de 1,8 MHz à 250 MHz, résultant en des économies considérables et des délais de mise sur le marché rapides.

Vidéo : NXP apporte des boîtiers standard à la puissance RF

Fonctionnalités

Puissance nominale de 100 W (onde entretenue)
1,8 MHz à 250 MHz
LDMOS 50 V
Entrée et sortie inégalées
Résistance thermique de 1,1°C/W
Extrême robustesse : gère un rapport d'ondes stationnaires en tension de 65:1
Disponibilité garantie jusqu'en 2033 minimum
Boîtier standard en plastique surmoulé TO-220 offrant des options de montage économiques et flexibles
Les circuits de référence partagent la même configuration de carte à circuit imprimé, permettant la réutilisation d'une même conception sur plusieurs fréquences
Configurations à broches en miroir prenant en charge les conceptions de type push-pull

Applications

Applications industrielles, scientifiques et médicales (ISM)
- Génération de laser
- Gravure plasma
- Accélérateurs de particules
- IRM et autres applications médicales
- Chauffage industriel, soudage et séchage
Diffusion
- Émissions de radio
- Émissions de télévision VHF
Radios mobiles
- Stations de base VHF
Communications HF et VHF
Alimentations à découpage

100 W RF Power Transistors in TO-220 Package

	Image	Référence fabricant	Description	Quantité disponible	Prix	Afficher les détails
		MRF101AN	RF MOSFET LDMOS 50V TO220-3	923 - Immédiatement	$33.57	Afficher les détails
		MRF101BN	RF MOSFET LDMOS 50V TO220-3	76 - Immédiatement	$29.51	Afficher les détails

Reference Circuits

Référence fabricant	Description	Quantité disponible	Prix	Afficher les détails
MRF101AN-230MHZ	MRF101AN REF BRD 230MHZ 115W	1 - Immédiatement	$1,008.00	Afficher les détails
MRF101AN-40MHZ	MRF101AN REF BRD 40.68MHZ 120W	0 - Immédiatement	$355.27	Afficher les détails
MRF101AN-81MHZ	MRF101AN REF BRD 81.36MHZ 130W	0 - Immédiatement	$756.00	Afficher les détails
MRF101AN-START	RF MOSFET LDMOS 50V TO220-3	0 - Immédiatement	See Page for Pricing	Afficher les détails
MRF101AN-13MHZ	MRF101AN REF BRD 13.56MHZ 130W	0 - Immédiatement	$262.50	Afficher les détails
MRF101AN-27MHZ	MRF101AN REF BRD 27MHZ 125W	5 - Immédiatement	$355.27	Afficher les détails
MRF101AN-50MHZ	MRF101AN REF BRD 50MHZ 119W	1 - Immédiatement	$355.27	Afficher les détails
MRF101AN-88MHZ	MRF101AN REF BRD 108MHZ 115W	1 - Immédiatement	$355.27	Afficher les détails
MRF101AN-VHF	MRF101AN REF BRD 174MHZ 100W	0 - Immédiatement	$355.27	Afficher les détails