Relais MOSFET G3VM
La gamme de relais MOSFET G3VM d'Omron comprend plus de 160 dispositifs qui gèrent une plage étendue de tensions et de courants. Ils sont parfaitement adaptés à l'équipement de test automatisé, à l'équipement médical, à l'instrumentation, à l'équipement de sécurité, au relevé automatique des compteurs, à l'équipement de diagnostic automobile et aux communications. Ils sont disponibles avec une configuration unipolaire en boîtiers de carte, CMS, DIP, SOP, SSOP, USOP, VSON et SVSON. Certains modèles présentent 2 sorties contrôlées indépendamment dans un seul boîtier. Les autres options incluent la limitation de courant, une tension de rigidité diélectrique élevée, des formes de contacts normalement ouverts et normalement fermés, une haute tenue en charge de courant et de tension et la commutation haute vitesse.
Vaste choix de boîtiers : les boîtiers DIP, SOP, SSOP, USOP, VSON et S-VSON sont les plus compacts de l'industrie avec un format de 2 mm x 1,45 mm x 1,65 mm. Des modèles à simple et double contact sont disponibles avec des contacts normalement ouverts (NO) et normalement fermés (NC). La résistance à l'état passant est de seulement 5 mΩ (typique). Capacité à l'état bloqué de seulement 0,3 pF (typique). Courants directs LED de déclenchement de seulement 0,2 mA. Temps de commutation de 0,2 ms. Des modèles sont également disponibles avec des fonctions de limitation de courant et un fonctionnement continu de 100 000 heures. Rigidité diélectrique jusqu'à 5000 VCA pendant 1 seconde. Modèles commutant jusqu'à 10 A* dans un boîtier aussi compact.
*Courant de charge en continu en cas de connexion C
G3VM S-VSON a permis de réaliser le boîtier le plus compact du monde
 |
 DIP(CMS&THD)
Boîtier double en ligne |
 SOP(CMS)
Boîtier compact |
 SSOP(CMS)
Boîtier compact réduit |
 USOP(CMS)
Boîtier ultracompact |
 VSON(CMS)
Boîtier très compact sans sortie |
 S-VSON(CMS)
Boîtier extrêmement compact sans sortie |
VSON (existant)
Format compact et extra-plat par structure à 2 piles (LED et PDA) |
S-VSON* (NOUVEAU) Surface de montage plus compacte par structure à 3 piles (LED et PDA et MOSFET) |
| Zone de montage de 3,56 mm2 |
Zone de montage de 2,9 mm2 |
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*Compact avec une rigidité diélectrique élevée. 500 V/min (entre entrée et sortie)
Taille ultracompacte et poids ultrafaible
En plus des boîtiers SSOP et USOP, nous avons introduit les boîtiers VSON et S-VSON ultracompacts, contribuant à la miniaturisation des équipements. |
Isolement élevé
Les relais MOSFET offrent un excellent isolement des E/S grâce à leur principe de fonctionnement. Ils permettent de transformer la tension en lumière et de la transférer par le signal lumineux ; par conséquent, l'entrée et la sortie sont isolées. Les modèles standard offrent 2500 Veff entre l'entrée et la sortie. Des produits supérieurs de 5000 VCA sont également disponibles. Des produits de 3750 VCA ont également été ajoutés à la série de boîtiers SOP. |
Faible courant d'attaque
Pour réaliser des économies d'énergie avec un courant d'attaque standard de 2 à 15 mA. Des modèles ultrasensibles sont également disponibles avec des courants d'attaque de seulement 0,2 mA (max). |
Fonctionnement silencieux
Étant donné que les relais MOSFET ne sont pas dotés de contacts mécaniques, l'utilisation d'un relais MOSFET au lieu d'un relais électromécanique permet d'éliminer le bruit de commutation dans vos applications. |
Durée de fonctionnement étendue
Les relais MOSFET utilisent un signal lumineux au lieu de contacts mobiles. Cela permet d'éviter la réduction de la durée de vie causée par l'usure de contact et augmente considérablement la durée de vie opérationnelle. |
Commutation haute vitesse
Par comparaison avec le temps de commutation de 3 à 5 ms d'un relais mécanique, le temps de commutation est réduit à 0,2 ms (SSOP, USOP, VSON). Cela permet d'atteindre des performances de réponse rapide. |
Faible courant de fuite
Peut supporter un courant de pointe externe sans ajout de circuit d'amortissement. En conditions normales, le courant de fuite typique est d'environ 1 nA ou inférieur. |
Contrôle correct du micro-signal analogique
Par rapport à un triac, le MOSFET réduit considérablement la zone morte. La forme d'ondes d'entrée du micro-signal analogique ne subit pas de distorsion comme avec un triac, et elle est convertie en forme d'ondes de sortie sans distorsion. |
Excellente résistance aux chocs
Tous les composants internes sont fabriqués par méthode de coulée. Il n'existe aucune pièce mobile à l'intérieur, ce qui permet une excellente résistance aux chocs et aux vibrations. |
 |
Carte produit par fonctionnalités
Usage général
Ultra-sensibilité
Fort courant et faible résistance à l'état passant
| DIP |
| Modèle |
Boîtier |
Courant de charge continu (A) max. |
Résistance à l'état passant (Ω) typ. |
Rigidité diélectrique entre entrée et sortie (Veff) max. |
| G3VM-21AR |
DIP4 |
3 |
0,04 |
2500 |
| G3VM-21DR |
DIP4 |
3 |
0,04 |
2500 |
| G3VM-21BR |
DIP6 |
4,0 (8,0)* |
0,02 |
2500 |
| G3VM-21ER |
DIP6 |
4,0 (8,0)* |
0,02 |
2500 |
| G3VM-41AR |
DIP4 |
2,5 |
0,05 |
2500 |
| G3VM-41DR |
DIP4 |
2,5 |
0,05 |
2500 |
| G3VM-41BR |
DIP6 |
3,5 (7,0)* |
0,03 |
2500 |
| G3VM-41ER |
DIP6 |
3,5 (7,0)* |
0,03 |
2500 |
| G3VM-61AR |
DIP4 |
2 |
0,08 |
2500 |
| G3VM-61DR |
DIP4 |
2 |
0,08 |
2500 |
| G3VM-61BR |
DIP6 |
2,5 |
0,065 |
2500 |
| G3VM-61ER |
DIP6 |
2,5 |
0,065 |
2500 |
| G3VM-61BR1 |
DIP6 |
3,0 (6,0)* |
0,04 |
2500 |
| G3VM-61ER1 |
DIP6 |
3,0 (6,0)* |
0,04 |
2500 |
| G3VM-101AR |
DIP4 |
1 |
0,25 |
2500 |
| G3VM-101DR |
DIP4 |
1 |
0,25 |
2500 |
| G3VM-101BR |
DIP6 |
2,0 (4,0)* |
0,1 |
2500 |
| G3VM-101ER |
DIP6 |
2,0 (4,0)* |
0,1 |
2500 |
| *( )=connexion-C |
| SOP |
| Modèle |
Boîtier |
Courant de charge continu (A) max. |
Résistance à l'état passant (Ω) typ. |
Rigidité diélectrique entre entrée et sortie (Veff) max. |
| G3VM-21HR |
SOP6 |
2,5 (5,0)* |
0,02 (0,005)* |
1500 |
| G3VM-31HR |
SOP6 |
4,0 (8,0)* |
0,02 (0,004)* |
1500 |
| G3VM-41HR |
SOP6 |
2,5 (5,0)* |
0,03 (0,008)* |
1500 |
| G3VM-41GR8 |
SOP4 |
1 |
0,1 |
1500 |
| G3VM-61GR1 |
SOP4 |
1 |
0,25 |
1500 |
| G3VM-61HR |
SOP6 |
2,3 (4,6)* |
0,04 (0,01)* |
1500 |
| G3VM-81HR |
SOP6 |
1,25 (2,5)* |
0,11 (0,03)* |
1500 |
| G3VM-101HR |
SOP6 |
1,4 (2,8)* |
0,1 (0,025)* |
1500 |
| G3VM-101HR1 |
SOP6 |
2,0 (4,0)* |
0,045 (0,011)* |
1500 |
| *( )=connexion-C |
| S-VSON |
| Modèle |
Boîtier |
Courant de charge continu (A) max. |
Résistance à l'état passant (Ω) typ. |
Rigidité diélectrique entre entrée et sortie (Veff) max. |
| G3VM-31QR |
S-VSON4 |
1,5 |
0,1 |
500 |
| G3VM-61QR |
S-VSON4 |
0,4 |
1,1 |
500 |
| G3VM-61QR2 |
S-VSON4 |
1 |
0,2 |
500 |
| G3VM-101QR1 |
S-VSON4 |
0,65 |
0,4 |
500 |
Faible capacité entre les bornes et faible résistance à l'état passant
| SOP |
| Modèle |
Tension de charge (VCA/VCC) max. |
Courant de charge continu (mA) max. |
Résistance à l'état passant maximum (Ω) typ. |
Capacité entre les bornes (pF) typ. |
Rigidité diélectrique entre entrée et sortie (Veff) |
| G3VM-21GR |
20 |
160 |
5 |
1 |
1500 |
| G3VM-21GR1 |
20 |
300 |
1 |
5 |
1500 |
| G3VM-41GR4 |
40 |
250 |
2 |
5 |
1500 |
| G3VM-41GR5 |
40 |
300 |
1 |
10 |
1500 |
| G3VM-41GR6 |
40 |
120 |
10 |
1 |
1500 |
| G3VM-81GR |
80 |
40 |
16 |
2,5 |
1500 |
| G3VM-81GR1 |
80 |
200 |
5 |
6,5 |
1500 |
| SSOP |
| Modèle |
Tension de charge (VCA/VCC) max. |
Courant de charge continu (mA) max. |
Résistance à l'état passant maximum (Ω) typ. |
Capacité entre les bornes (pF) typ. |
Rigidité diélectrique entre entrée et sortie (Veff) |
| G3VM-21LR |
20 |
160 |
5 |
1 |
1500 |
| G3VM-21LR1 |
20 |
450 |
0,8 |
5 |
1500 |
| G3VM-21LR10 |
20 |
200 |
3 |
0,8 |
1500 |
| G3VM-41LR4 |
40 |
250 |
2 |
5 |
1500 |
| G3VM-41LR5 |
40 |
300 |
1 |
10 |
1500 |
| G3VM-41LR6 |
40 |
120 |
10 |
1 |
1500 |
| G3VM-41LR10 |
40 |
120 |
12 |
0,45 |
1500 |
| G3VM-41LR11 |
40 |
140 |
7 |
0,7 |
1500 |
| USOP |
| Modèle |
Tension de charge (VCA/VCC) max. |
Courant de charge continu (mA) max. |
Résistance à l'état passant maximum (Ω) typ. |
Capacité entre les bornes (pF) typ. |
Rigidité diélectrique entre entrée et sortie (Veff) |
| G3VM-21PR10 |
20 |
200 |
3 |
0,8 |
500 |
| G3VM-41PR10 |
40 |
120 |
12 |
0,45 |
500 |
| G3VM-41PR11 |
40 |
140 |
7 |
0,7 |
500 |
Boîtiers VSON/USOP/SSOP ultracompacts
| SSOP |
| Modèle |
Tension de charge (VCA/VCC) max. |
Courant de charge continu (mA) max. |
Résistance à l'état passant (Ω) typ. |
Capacité entre les bornes (pF) typ. |
C x R |
Rigidité diélectrique entre entrée et sortie (Veff) max. |
| G3VM-21LR |
20 |
160 |
5 |
1 |
5 |
1500 |
| G3VM-21LR1 |
20 |
450 |
0,8 |
5 |
4 |
1500 |
| G3VM-21LR10 |
20 |
200 |
3 |
0,8 |
2,4 |
1500 |
| G3VM-21LR11 |
20 |
900 |
0,18 |
40 |
7,2 |
1500 |
| G3VM-41LR4 |
40 |
250 |
2 |
5 |
10 |
1500 |
| G3VM-41LR5 |
40 |
300 |
1 |
10 |
10 |
1500 |
| G3VM-41LR6 |
40 |
120 |
10 |
1 |
10 |
1500 |
| G3VM-41LR10 |
40 |
120 |
12 |
0,45 |
5,4 |
1500 |
| G3VM-41LR11 |
40 |
140 |
7 |
0,7 |
4,9 |
1500 |
| G3VM-61LR |
60 |
400 |
1 |
20 |
20 |
1500 |
| G3VM-81LR |
80 |
120 |
7,5 |
5 |
37,5 |
1500 |
| G3VM-101LR |
100 |
80 |
8 |
6 |
48 |
1500 |
| USOP |
| Modèle |
Tension de charge (VCA/VCC) max. |
Courant de charge continu (mA) max. |
Résistance à l'état passant (Ω) typ. |
Capacité entre les bornes (pF) typ. |
C x R |
Rigidité diélectrique entre entrée et sortie (Veff) max. |
| G3VM-21PR10 |
20 |
200 |
3 |
0,8 |
2,4 |
500 |
| G3VM-21PR1 |
20 |
450 |
0,6 |
5 |
3 |
500 |
| G3VM-21PR11 |
20 |
900 |
0,18 |
40 |
7,2 |
500 |
| G3VM-41PR12 |
40 |
100 |
15 |
0,3 |
4,5 |
500 |
| G3VM-41PR10 |
40 |
120 |
12 |
0,45 |
5,4 |
500 |
| G3VM-41PR6 |
40 |
120 |
10 |
1 |
10 |
500 |
| G3VM-41PR11 |
40 |
140 |
7 |
0,7 |
4,9 |
500 |
| G3VM-41PR5 |
40 |
300 |
1 |
10 |
10 |
500 |
| G3VM-51PR |
50 |
300 |
1 |
12 |
12 |
500 |
| G3VM-61PR1 |
60 |
120 |
10 |
0,7 |
7 |
500 |
| G3VM-61PR |
60 |
400 |
1 |
20 |
20 |
500 |
| G3VM-71PR |
75 |
400 |
1 |
30 |
30 |
500 |
| G3VM-81PR |
80 |
120 |
7 |
5 |
35 |
500 |
| G3VM-101PR |
100 |
100 |
8 |
6 |
48 |
500 |
| VSON |
| Modèle |
Tension de charge (VCA/VCC) max. |
Courant de charge continu (mA) max. |
Résistance à l'état passant (Ω) typ. |
Capacité entre les bornes (pF) typ. |
C x R |
Rigidité diélectrique entre entrée et sortie (Veff) max. |
| G3VM-21UR10 |
20 |
200 |
3 |
0,8 |
2,4 |
500 |
| G3VM-21UR1 |
20 |
450 |
0,8 |
5 |
4 |
500 |
| G3VM-21UR11 |
20 |
1000 |
0,18 |
40 |
7,2 |
500 |
| G3VM-41UR12 |
40 |
100 |
15 |
0,3 |
4,5 |
500 |
| G3VM-41UR10 |
40 |
120 |
12 |
0,45 |
5,4 |
500 |
| G3VM-41UR11 |
40 |
140 |
7 |
0,7 |
4,9 |
500 |
| G3VM-51UR |
50 |
300 |
1 |
12 |
12 |
500 |
| G3VM-61UR1 |
60 |
120 |
10 |
0,7 |
7 |
500 |
| G3VM-61UR |
60 |
400 |
1 |
20 |
20 |
500 |
| G3VM-81UR |
80 |
120 |
7 |
5 |
35 |
500 |
| G3VM-81UR1 |
80 |
200 |
6 |
6,5 |
39 |
500 |
| G3VM-101UR |
100 |
100 |
8 |
6 |
48 |
500 |
| S-VSON |
| Modèle |
Tension de charge (VCA/VCC) max. |
Courant de charge continu (mA) max. |
Résistance à l'état passant (Ω) typ. |
Capacité entre les bornes (pF) typ. |
C x R |
Rigidité diélectrique entre entrée et sortie (Veff) max. |
| G3VM-31QR |
30 |
1,5 |
0,1 |
120 |
12 |
500 |
| G3VM-61QR |
60 |
0,4 |
1,1 |
12 |
13 |
500 |
| G3VM-61QR2 |
60 |
1 |
0,2 |
80 |
16 |
500 |
| G3VM-101QR1 |
100 |
0,65 |
0,4 |
50 |
20 |
500 |
Haute tension et rigidité diélectrique élevée
Limitation de courant
| Modèle |
Boîtier |
Contact |
Tension de charge (VCA/VCC) max. |
Courant de charge continu (mA) max. |
Limite de courant (mA) max. |
Résistance à l'état passant (Ω) typ. |
| G3VM-2L |
DIP4 |
1a |
350 |
120 |
300 |
22 |
| G3VM-2FL |
DIP4 |
1a |
350 |
120 |
300 |
22 |
| G3VM-WL |
DIP8 |
2a |
350 |
120 |
300 |
22 |
| G3VM-WFL |
DIP8 |
2a |
350 |
120 |
300 |
22 |
| G3VM-351GL |
SOP4 |
1a |
350 |
120 |
300 |
15 |
Contact-1a1b |
Relais MOSFET contact 1a + 1c dans un seul boîtier. |
| Modèle |
Boîtier |
Contact |
Tension de charge (VCA/VCC) max. |
Courant de charge continu (mA) max. |
Résistance à l'état passant (Ω) typ. |
Rigidité diélectrique entre entrée et sortie (Veff) max. |
| G3VM-355CR |
DIP8 |
1a1b |
350 |
120 |
15 |
2500 |
| G3VM-355FR |
DIP8 |
1a1b |
350 |
120 |
15 |
2500 |
| G3VM-355JR |
SOP8 |
1a1b |
350 |
120 |
15 |
1500 |
|