MOSFET Trench6 à canal N de 30 V à 60 V

Le MOSFET Trench6 à canal N de 30 V à 60 V est fabriqué selon le processus PowerTrench® avancé d'onsemi qui intègre une technologie de grille blindée

Image du MOSFET Trench6 à canal N de 30 V à 60 V d'ON Semiconductor Le MOSFET moyenne tension T6 à canal N de 60 V est fabriqué selon le processus PowerTrench avancé d'onsemi qui intègre une technologie de grille blindée. Ce processus a été optimisé pour minimiser la résistance à l'état passant, tout en maintenant des performances de commutation supérieures avec une excellente diode de substrat souple.

Fonctionnalités et avantages
  • Boîtier compact (5 mm x 6 mm)
  • Résistance RDS(ON) ultrafaible
  • L'une des meilleures résistances RDS(ON) du marché dans la gamme 40 V et 60 V
  • Densité de puissance accrue
  • Ces dispositifs sont exempts de plomb et d'halogène/BFR
  • Excellente conduction thermique
  • Amélioration du rendement du système
  • Conformité à RoHS
Applications
  • Joint torique
  • Entraînement de moteur
  • Convertisseurs CC/CC
  • Commutateur de charge de puissance
  • Gestion des batteries

30 V to 60 V Trench6 N-Channel MOSFET

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponiblePrixAfficher les détails
MOSFET 2N-CH 20V 5A 6MICROFETFDMA1024NZMOSFET 2N-CH 20V 5A 6MICROFET6901 - Immédiatement$0.87Afficher les détails
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5000 - Stock usine
$1.26Afficher les détails
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12000 - Stock usine
$1.41Afficher les détails
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MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 6MICROFETFDMA1028NZMOSFET 2N-CH 20V 3.7A 6MICROFET920 - Immédiatement$0.75Afficher les détails
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MOSFET 2P-CH 30V 6A 8SOICFDS6975MOSFET 2P-CH 30V 6A 8SOIC1026 - Immédiatement$1.54Afficher les détails
Date de publication : 2021-08-04