MOSFET à canal N unique NTBLS0D8N08X
Le MOSFET d'onsemi offre un rendement supérieur et des caractéristiques de commutation améliorées
Le dispositif NTBLS0D8N08X d'onsemi convient parfaitement aux ingénieurs recherchant le summum de la performance en matière de MOSFET. Sa charge de recouvrement inverse (Qrr) minimisée et sa diode de récupération optimisée se combinent avec une excellente résistance à l'état passant (RDS(ON)) pour un rendement supérieur. La faible charge de grille (Qg) améliore encore les caractéristiques de commutation. Le NTBLS0D8N08X répond à des normes environnementales strictes.
- Faible charge Qrr et diode de substrat de récupération plus douce
- Résistance RDS(ON) ultrafaible
- Faible valeur Qg
- Sans plomb ni halogène/retardateurs de flamme bromés (BFR)
- Redressement synchrone en CC/CC et CA/CC
- Commutateur primaire dans les convertisseurs CC/CC isolés
- Entraînements de moteurs
- Joints toriques
NTBLS0D8N08X Single N-Channel MOSFET
| Image | Référence fabricant | Description | Type de FET | Technologies | Tension drain-source (Vdss) | Quantité disponible | Prix | Afficher les détails | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | NTBLS0D8N08XTXG | MOSFET, POWER 80V SINGLE N-CHANN | Canal N | MOSFET (oxyde métallique) | 80 V | 2221 - Immédiatement | $5.53 | Afficher les détails |



