MOSFET à superjonction de 600 V et 650 V

Les MOSFET à superjonction de PANJIT sont optimisés pour permettre une conception facile et efficace des circuits de conversion de puissance, tels que les convertisseurs CA/CC et CC/CC. Les MOSFET à superjonction de première génération de PANJIT nécessitent moins d'effort de conception de la part des ingénieurs, grâce à des performances de commutation appropriées et à une faible résistance à l'état passant R_DS(ON), ce qui permet de réduire la taille du système et la dissipation thermique des MOSFET à superjonction de PANJIT. La robustesse des MOSFET à superjonction représente également un facteur clé pour concevoir correctement le système afin d'obtenir des performances de système plus fiables.

Les MOSFET à superjonction de PANJIT offrent d'excellentes performances en matière de robustesse di/dt des diodes de substrat. Cette robustesse des diodes de substrat peut améliorer la fiabilité des systèmes tels que les convertisseurs LLC et à décalage de phase en pont complet. Elle peut également mettre fin à certaines des difficultés de conception afin d'éviter les conditions de défaillance des diodes de substrat, de sorte que le concepteur peut se concentrer sur les performances du système avec une excellente robustesse des diodes de substrat. Des performances de commutation très stables constituent les principales caractéristiques du MOSFET à superjonction de PANJIT. Le MOSFET à superjonction de PANJIT facilite la conception grâce à une réduction des pics de tension et des oscillations afin d'aider le concepteur à réduire l'effort de conception du circuit imprimé, ce qui permet une conception du système plus flexible, avec moins de contraintes EMI et des performances système appropriées Les ingénieurs ou les concepteurs en recherche et développement peuvent optimiser les performances du système en vue d'obtenir une grande fiabilité, ce qui permet un fonctionnement plus durable avec les MOSFET à superjonction de PANJIT.