Diode Schottky SiC de génération 1,5

La diode Schottky (SBD) en carbure de silicium (SiC) génération 1,5 de PANJIT a été développée pour permettre aux ingénieurs en électronique de concevoir des systèmes plus performants avec une dissipation thermique moindre. Une diode à recouvrement rapide (FRD) présente un certain courant de recouvrement inverse en mode de désactivation qui génère des pertes de commutation supplémentaires lorsque l'interrupteur principal est activé. En revanche, la diode Schottky ne présente pas de courant de recouvrement inverse ; elle peut donc être utilisée à une fréquence de commutation plus élevée, mais elle présente l'inconvénient d'une tension de claquage plus faible en raison d'une fuite plus élevée. Les dispositifs SiC ont une bande interdite plus élevée que les dispositifs au silicium, ce qui résulte en un courant de fuite très faible. Les dispositifs SiC présentent une vitesse d'électrons plus élevée, ce qui permet d'obtenir des performances de commutation supérieures à celles des dispositifs en silicium.

La diode Schottky SiC de génération 1,5 de PANJIT est optimisée afin d'avoir une faible dépendance à la température pour la tension directe (V_F), de sorte que les pertes de conduction peuvent être supprimées lors d'un fonctionnement à haute température. Elle possède une structure à barrière de jonction Schottky (JBS) en ajoutant une couche P+ sur la zone de contact métallique. En conséquence, la tenue en courant de pointe peut être considérablement améliorée, ce qui est utile à l'assurance d'une fiabilité au niveau du système pour le fonctionnement du système en démarrage à froid. La gamme de diodes Schottky SiC de génération 1,5 de PANJIT a des valeurs nominales de 4 A à 40 A et divers boîtiers discrets tels que TO-220AC, TO-252AA et TO-247AD-3LD.