Le PE42524 de pSemi est une puce de commutateur RF unipolaire bidirectionnel (SPDT) réflectif à technologie HaRP™ avancée, qui prend en charge une vaste plage de fréquences de 10 MHz à 40 GHz. Ce commutateur flip-chip (à puce retournée) à large bande fournit des performances d'isolement élevées, une excellente linéarité et une faible perte d'insertion, ce qui le rend adapté aux applications de test et mesure (T&M), de liaisons hyperfréquences, de radars et de communications militaires (mil-comm). À 30 GHz, le PE42524 affiche des pertes par réflexion de port actif de 17 dB, un isolement de 47 dB et une perte d'insertion de 2,2 dB. Aucun condensateur de liaison n'est requis en l'absence de tension CC sur les ports RF. Le PE42524 est fabriqué selon le processus UltraCMOS de Peregrine, une variation brevetée de la technologie silicium sur isolant (SOI) sur un substrat de saphir.
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| Fonctionnalités |
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- Prise en charge large bande jusqu'à 40 GHz
- Isolement port à port élevé
- 48 dB à 26,5 GHz
- 39 dB à 35 GHz
- 33 dB à 40 GHz
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- Excellentes performances de linéarité
- P1dB de 31,5 dBm à 26,5 GHz
- P1dB de 28,0 dBm à 35 GHz
- IIP3 de 50 dBm à 13,5 GHz
- Faible perte d'insertion
- 1,8 dB à 26,5 GHz
- 3,1 dB à 35 GHz
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Le PE42524 de pSemi est une puce de commutateur RF unipolaire bidirectionnel (SPDT) réflectif à technologie HaRP™ avancée, qui prend en charge une vaste plage de fréquences de 10 MHz à 40 GHz. Ce commutateur flip-chip (à puce retournée) à large bande fournit des performances d'isolement élevées, une excellente linéarité et une faible perte d'insertion, ce qui le rend adapté aux applications de test et mesure (T&M), de liaisons hyperfréquences, de radars et de communications militaires (mil-comm). À 30 GHz, le PE42524 affiche des pertes par réflexion de port actif de 17 dB, un isolement de 47 dB et une perte d'insertion de 2,2 dB. Aucun condensateur de liaison n'est requis en l'absence de tension CC sur les ports RF. Le PE42524 est fabriqué selon le processus UltraCMOS de Peregrine, une variation brevetée de la technologie silicium sur isolant (SOI) sur un substrat de saphir.
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