Commutateur bidirectionnel GaN haute tension TP65B110HRU de 650 V et 110 mΩ

Le commutateur bidirectionnel GaN haute tension TP65B110HRU de 650 V et 110 mΩ de Renesas intègre une diode de roue libre à faible chute de tension

Image du commutateur bidirectionnel GaN haute tension TP65B110HRU de 650 V et 110 mΩ de RenesasLe TP65B110HRU est un commutateur bidirectionnel (BDS) à drain commun de 650 V et 110 mΩ, basé sur la plateforme bidirectionnelle SuperGaN® Gen I de Renesas. Il conduit le courant et bloque la tension dans les deux sens, tout en conservant un encombrement minimal et d'excellentes performances de commutation. Ce dispositif combine un transistor GaN monolithique bidirectionnel haute tension en mode de déplétion avec des MOSFET en silicium basse tension et à l'état normalement bloqué afin d'offrir des performances supérieures, un seuil élevé garantissant une compatibilité avec les circuits d'attaque de grille standard, une intégration aisée et une fiabilité à toute épreuve pour les applications de puissance avancées.

Fonctionnalités
  • Tension nominale continue CC et CA de crête de ±650 V, tension nominale transitoire de ±800 V
  • Grille isolée à seuil élevé (VTH)
  • Diode de roue libre intégrée à faible chute de tension
  • Charge de recouvrement inverse nulle
  • Faible charge de grille (Qg) et faible charge de sortie (Qoss)
  • Haute immunité dv/dt
  • Haute immunité di/dt
  • Capacité de commutation douce et forcée
  • Capacité de surtension transitoire
  • Résistance aux décharges électrostatiques (DES) de 2 kV (HBM et CDM)
  • Technologie GaN qualifiée JEDEC
  • Boîtier conforme à RoHS et sans halogène

TP65B110HRU 650 V 110 mΩ High-Voltage GaN Bidirectional Switch

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Date de publication : 2026-04-29