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Circuit d'attaque haut potentiel et bas potentiel BM60212
Le circuit d'attaque de ROHM fonctionne jusqu'à 1200 V et peut commander des dispositifs IGBT et MOSFET canal N
Le dispositif BM60212FV-C de ROHM est un circuit d'attaque haut potentiel et bas potentiel qui fonctionne jusqu'à 1200 V, avec une fonction auto-élévatrice, et qui est capable de commander des dispositifs IGBT et MOSFET canal N. La fonction de verrouillage en cas de sous-tension (UVLO) et la fonction de fixation de Miller sont intégrées.
Fonctionnalités
- Homologation AEC-Q100
- Tension d'alimentation flottante haut potentiel 1200 V
- Fixation de Miller active
- Fonction de verrouillage en cas de sous-tension
- Compatible grade 1 avec la logique d'entrée 3,3 V et 5,0 V
- Tension maximale de commande de grille : 24 V
- Circuits d'attaque de grille MOSFET
- Circuits d'attaque de grille IGBT
- Tension d'alimentation flottante haut potentiel : 1200 V
- Temps d'activation/désactivation : 75 ns (max)
- Largeur d'impulsion minimale de l'entrée logique : 60 ns
Circuit d'application typique
BM60212 High- and Low-Side Driver
| Image | Référence fabricant | Description | Quantité disponible | Prix | Afficher les détails | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | BM60212FV-CE2 | IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 20SSOP | 299 - Immédiatement | $3.78 | Afficher les détails |
Date de publication : 2019-08-12
Suisse