Conceptions de référence de circuit d'attaque de grille isolé plus FET GaN

Silicon Labs et EPC s'associent pour simplifier le processus d'évaluation de leurs FET eGaN

Image des conceptions de référence FET GaN plus circuit d'attaque de grille isolé de Silicon Labs/EPCLa technologie d'isolement de Silicon Labs simplifie la conception et offre les meilleures caractéristiques de temporisation, la plus haute fiabilité et les émissions les plus faibles de l'industrie. Les clients s'appuient sur leurs solutions pour atteindre un rendement système supérieur, une meilleure immunité au bruit, une sécurité améliorée et une empreinte réduite. Ces conceptions de référence ont été développées pour permettre l'adoption rapide par les clients et pour accélérer les délais de commercialisation.

Le partenariat de Silicon Labs avec EPC permet aux concepteurs de bénéficier de conceptions de référence qui simplifient le processus d'évaluation de FET eGAN. Ces conceptions de référence présentent une topologie en demi-pont avec circuits d'attaque de grille intégrés et incluent tous les composants stratégiques et la configuration pour des performances de commutation optimales. La plupart des cartes peuvent être utilisées pour facilement développer des prototypes fonctionnels et elles ne requièrent que l'ajout de bornes et de filtres de sortie LC.

Fonctionnalités clés
  • Faible latence : 10 ns typ.
  • CMTI de 50 kV/μs typ.
  • Isolement certifié UL, CSA et VDE : options de 2,5 kV, 3,75 kV et 5 kV
  • Durée de vie de 60 ans à la tension nominale de fonctionnement
  • Qualification AEC-Q100
Applications
  • Convertisseurs CC/CC
  • Onduleurs
  • Amplificateurs audio de classe D
  • Onduleurs solaires
  • Commande moteur

Outils de développement de circuit d'attaque plus demi-pont EPC

Les cartes de développement demi-pont simplifient le processus d'évaluation de ces FET eGaN en incluant tous les composants stratégiques et la configuration pour des performances de commutation optimales sur une seule carte pouvant être facilement connectée à tout convertisseur existant.

Isolateur numérique de Silicon Labs inclus

Les isolateurs numériques Si86xx de Silicon Labs constituent la série d'isolateurs unidirectionnels et bidirectionnels la plus performante de l'industrie, avec le plus grand nombre de canaux, prenant en charge des caractéristiques d'isolement renforcé jusqu'à 5 kVrms. Basés sur notre technologie d'isolement CMOS brevetée, les isolateurs Si86xx permettent un fonctionnement robuste dans les applications industrielles difficiles.

EPC Half Bridge Plus Driver Development Tools

ImageRéférence fabricantDescriptionAttributs primairesQuantité disponiblePrixAfficher les détails
EVAL BOARD FOR EPC2010CEPC9003CEVAL BOARD FOR EPC2010C-28 - Immédiatement$148.32Afficher les détails
EVAL BOARD FOR EPC2012CEPC9004CEVAL BOARD FOR EPC2012C-6 - Immédiatement$72.69Afficher les détails
EVAL BOARD FOR EPC2019EPC9014EVAL BOARD FOR EPC2019-9 - Immédiatement$158.14Afficher les détails
EVAL BOARD FOR EPC2033EPC9047EVAL BOARD FOR EPC2033Sortie maxi GaNFET 12A, 150V18 - Immédiatement$160.00Afficher les détails
EVAL BOARD FOR EPC2034EPC9048EVAL BOARD FOR EPC2034Sortie maxi 160V, 12A GaNFET0 - Immédiatement$95.00Afficher les détails

Skyworks Solutions Included Digital Isolator

ImageRéférence fabricantDescriptionAlimentation isoléeDébit de donnéesImpulsion avec distorsion (max.)Quantité disponiblePrixAfficher les détails
DGTL ISOLTR 3.75KV 1CH GP 8-SOICSI8610BC-B-ISDGTL ISOLTR 3.75KV 1CH GP 8-SOICNon150Mbps4,5ns5116 - Immédiatement$1.69Afficher les détails
DGTL ISOLTR 5KV 1CH GP 16-SOICSI8610BD-B-ISDGTL ISOLTR 5KV 1CH GP 16-SOICNon150Mbps4,5ns84 - Immédiatement$2.20Afficher les détails
DGTL ISOLTR 3.75KV 1CH GP 8-SOICSI8610EC-B-ISDGTL ISOLTR 3.75KV 1CH GP 8-SOICNon150Mbps4,5ns1395 - Immédiatement$1.69Afficher les détails
DGTL ISOLTR 5KV 1CH GP 16-SOICSI8610ED-B-ISDGTL ISOLTR 5KV 1CH GP 16-SOICNon150Mbps4,5ns26 - Immédiatement$2.20Afficher les détails
DGTL ISOLTR 2.5KV 1CH GP 8-SOICSI8610AB-B-ISRDGTL ISOLTR 2.5KV 1CH GP 8-SOICNon1Mbps25ns2234 - Immédiatement$1.61Afficher les détails
Date de publication : 2018-12-20