Circuits d'attaque de grille isolés robustes Si823Hx pour MOSFET et IGBT

Les dispositifs ISOdriver Si823Hx de Silicon Labs conviennent parfaitement pour la commande de transistors IGBT et MOSFET de puissance, utilisés dans une grande variété d'applications de commande moteur et d'alimentation à découpage. Chaque dispositif combine deux circuits d'attaque de grille isolés dans un seul boîtier pour les applications haute puissance. Le Si823Hx comprend des dispositifs avec des entrées de commande simple ou double et des sorties indépendantes ou haut potentiel/bas potentiel. Ces circuits d'attaque peuvent fonctionner avec une tension V_DD d'entrée de 3,0 V à 5,5 V et une tension d'alimentation de commande maximum de 30 V.

Ces circuits d'attaque utilisent la technologie d'isolement silicium propriétaire de Silicon Labs, prenant en charge une tension d'isolement jusqu'à 5 kV_RMS pendant 1 minute. Cette technologie permet une haute immunité transitoire en mode commun (CMTI) (125 kV/µs), des retards et des temps de propagation inférieurs, une faible variation avec la température et l'âge et une faible adaptation pièce-à-pièce. Cette gamme de circuits d'attaque offre également des fonctionnalités uniques, telles que la protection contre la surchauffe, la détection de défaillance de verrouillage en cas de sous-tension (UVLO) en sortie, la programmabilité des temps de récupération, et des circuits d'attaque de sécurité avec un faible niveau par défaut, en cas de perte d'alimentation côté entrée. La gamme Si823Hx offre une durée de service plus longue et une fiabilité considérablement plus élevée par rapport aux circuits d'attaque de grille à couplage optique.