MOSFET MDmesh™ DM2 600 V

STMicroelectronics présente les MOSFET MDmesh™ DM2 600 V pour applications industrielles

Image des MOSFET MDmesh DM2  600 V de STMicroelectronicsLa dernière série de MOSFET à diode à récupération rapide haut rendement de STMicroelectronics présentant une charge de récupération (Qrr) et un délai de récupération (trr) très faibles est optimisée pour les topologies en pont complet et en demi-pont haute tension, exigeant des performances de commutation élevées. Ces dispositifs de 600 V présentent également une charge de grille Qg ultrafaible, une capacité d'entrée Ciss et de sortie Coss extrêmement faible, une très faible résistance à l'état passant et une robustesse dv/dt élevée.

Fonctionnalités clés
  • Diode de substrat à récupération rapide
  • Capacité d'entrée et charge de grille extrêmement faibles
  • Faible résistance à l'état passant
  • Charge de récupération (Qrr) et délai de récupération (trr) très faibles
  • Testé avalanche à 100 %
  • Robustesse dv/dt extrêmement élevée
  • Protection Zener

600 V MDmesh DM2 MOSFETS

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponiblePrixAfficher les détails
MOSFET N-CH 600V 24A TO247STW33N60DM2MOSFET N-CH 600V 24A TO247508 - Immédiatement$4.84Afficher les détails
MOSFET N-CH 650V 48A TO247STW56N65DM2MOSFET N-CH 650V 48A TO247917 - Immédiatement$8.56Afficher les détails
MOSFET N-CH 600V 12A TO220STP18N60DM2MOSFET N-CH 600V 12A TO220880 - Immédiatement$1.52Afficher les détails
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAKSTB18N60DM2MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK1212 - Immédiatement$2.42Afficher les détails
MOSFET N-CH 600V 12A TO247STW18N60DM2MOSFET N-CH 600V 12A TO247602 - Immédiatement$2.89Afficher les détails
Date de publication : 2016-02-24