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IGBT 650 V série HB2
IGBT haute vitesse à grille en tranchée à champ limité, 650 V, 40 A, en boîtier TO-247 à longues sorties série HB2 de STMicro
La série HB2 d'IGBT 650 V de STMicroelectronics constitue une évolution de la structure à grille en tranchée à champ limité (FS) propriétaire avancée. Les performances de la série HB2 sont optimisées en termes de conduction, grâce à un meilleur comportement VCE(sat) à faibles valeurs de courant, ainsi qu'en termes d'énergie de commutation réduite. Une diode utilisée uniquement à des fins de protection est conditionnée conjointement en configuration antiparallèle avec l'IGBT. Il en résulte un produit spécialement conçu pour optimiser le rendement d'une large gamme d'applications rapides.
Fonctionnalités
- Température maximale de jonction : TJ = 175°C
- Faible VCE(sat) = 1,55 V (typ.) à IC = 40 A
- Diode de protection conditionnée conjointement
- Courant de queue réduit
- Distribution stricte des paramètres
- Faible résistance thermique
- Coefficient de température VCE(sat) positif
HB2 Series 650 V IGBT
| Image | Référence fabricant | Description | Quantité disponible | Prix | Afficher les détails | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | STGWA40HP65FB2 | IGBT TRENCH FS 650V 72A TO247 | 36 - Immédiatement | $4.05 | Afficher les détails |
|  | SCTL35N65G2V | TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV | 5854 - Immédiatement | $12.82 | Afficher les détails |
Date de publication : 2019-05-09
Suisse