STMicroelectronics

MOSFET de puissance

STMicroelectronics présente ses MOSFET de puissance prenant en charge des applications sur une plage de tensions spécifique

Image des MOSFET de puissance de STMicroelectronicsLa gamme de transistors MOSFET de STMicroelectronics présente une vaste plage de tensions de claquage de -500 V à 1500 V, avec faible résistance à l'état passant et faible charge de grille, le tout dans un boîtier à conception avancée. La technologie de processus de ST pour les transistors MOSFET haute tension (MDmesh™) et basse tension (StripFET™) a amélioré la capacité de gestion de l'alimentation, offrant des solutions haut rendement.

Voici les caractéristiques principales de cette vaste gamme de produits :
  • Plage de tensions de claquage de -500 V à 1500 V
  • Plus de 30 options de boîtier, dont le TO247-4 à 4 sorties présentant une broche de commande dédiée pour une meilleure efficacité de commutation, le H2PAK pour une haute tenue en courant et le PowerFLAT™ à montage en surface de 1 mm de hauteur, 5 x 6 HT et THT qui présente d'excellentes performances thermiques grâce à un grand plot de drain en métal exposé
  • Charge de grille améliorée et dissipation de puissance inférieure pour répondre aux exigences de rendement élevé actuelles
  • Option de diode intrinsèque rapide pour les gammes de produits sélectionnées
  • Vaste gamme de MOSFET de grade automobile
 Image du schéma des MOSFET de puissance de STMicroelectronics

Dans chaque plage de tensions, grâce à la prise en charge d'applications telles que les alimentations à découpage, l'éclairage, les convertisseurs CC/CC, la commande de moteur et les applications automobiles, ST dispose du transistor MOSFET approprié pour la conception de l'utilisateur.

Afficher tous les MOSFET de puissance de STMicroelectronics

Date de publication : 2016-12-30

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