MOSFET de puissance en carbure de silicium SCT055HU65G3AG pour l'industrie automobile

Le dispositif MOSFET STPOWER en carbure de silicium a été développé en faisant appel à la technologie de MOSFET SiC avancée et innovante de 3e génération de STMicroelectronics. Il se caractérise par une très faible résistance R_DS(ON) sur toute la plage de températures, combinée à de faibles valeurs de capacité et à des opérations de commutation très rapides, ce qui améliore les performances de l'application en termes de fréquence, de rendement énergétique, de taille du système et de réduction de poids.

Fonctionnalités

• L'amélioration des valeurs R_on × taille de la puce et de R_on × Q_g se traduit par un meilleur rendement de l'onduleur, et donc par une autonomie supplémentaire pour les véhicules électriques
• La tension nominale très élevée permet une recharge CC rapide des véhicules électriques
• La diode intrinsèque très rapide assure la bidirectionnalité des chargeurs embarqués des véhicules électriques
• La tenue en fréquence très élevée implique des systèmes plus compacts
• Le boîtier HU3PAK de pointe à montage en surface (CMS) avec refroidissement par le haut permet un facteur de forme plus petit, une plus grande souplesse de conception et de meilleures performances thermiques tout en augmentant la densité de puissance