Circuits d'attaque de grille à un canal STGAP2GS/STGAP2GSN

Les circuits d'attaque de grille à un canal et à isolation galvanique de STMicroelectronics sont destinés aux transistors de puissance GaN en mode d'enrichissement

Image des circuits d'attaque de grille à un canal STGAP2GS et STGAP2GSN de STMicroelectronicsLes dispositifs STGAP2GS et STGAP2GSN de STMicroelectronics sont des circuits d'attaque de grille à un canal à isolation galvanique pour les transistors de puissance GaN en mode d'enrichissement dans des boîtiers standard SO8 et SO8 à corps large, offrant un circuit d'attaque isolé approprié pour le GaN dans un faible encombrement exploitant la dernière technologie d'isolation galvanique. Le circuit d'attaque de grille se caractérise par une tenue en courant de 2 A source/3 A absorption et des sorties rail-à-rail, ce qui rend le dispositif adapté aux applications moyenne et haute puissance, comme les onduleurs de variateurs moteurs et de conversion de puissance dans les applications industrielles.

L'immunité aux transitoires dV/dt est de ±100 V/ns sur toute la plage de températures, assurant ainsi une robustesse remarquable contre les transitoires de tension. Le dispositif est disponible dans des options de configuration source et absorption distinctes pour faciliter la commande de grille afin d'optimiser l'activation et la désactivation indépendantes à l'aide de résistances indépendantes.

Il intègre des fonctions de protection, notamment le blocage thermique, qui réduit la sortie du circuit d'attaque lorsque la température de jonction atteint un seuil défini, et un verrouillage en cas de sous-tension (UVLO) avec un niveau optimisé pour les FET GaN en mode d'enrichissement, ce qui permet une conception facile pour des systèmes fiables et à haut rendement. Les broches d'entrée doubles permettent la sélection du contrôle de la polarité du signal et la mise en œuvre d'une protection par enclenchement matériel pour éviter l'interconduction.

Le temps de propagation entre l'entrée et la sortie est inférieur à 45 ns, ce qui permet une grande précision de la commande PWM. Un mode veille est disponible pour réduire la consommation d'énergie au repos. Les entrées logiques compatibles CMOS/TTL jusqu'à 3,3 V assurent un interfaçage simple avec les microcontrôleurs et les périphériques DSP.

Fonctionnalités
  • Tension d'attaque de grille jusqu'à 15 V
  • Tenue en courant du circuit d'attaque 2 A/3 A source/absorption
  • Immunité aux transitoires dv/dt de ±100 V/ns
  • Temps de propagation de 45 ns
  • Option absorption/source séparée pour un réglage facile de l'attaque de grille
  • Entrées logiques de 3,3 V/5 V
  • Fonction UVLO (verrouillage en cas de sous-tension) optimisée pour GaN
  • Protection de blocage thermique
  • Fonction de veille
  • Boîtier SO-8W à corps large et boîtier SO8 à corps étroit

STGAP2GS/STGAP2GSN Single-Channel Gate Drivers

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponiblePrixAfficher les détails
DIGITAL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SOSTGAP2GSCTRDIGITAL ISO 5KV 1CH GATE DVR 8SO163 - Immédiatement$2.06Afficher les détails
DIGITAL ISO 4KV 1CH GATE DVR 8SOSTGAP2GSNCTRDIGITAL ISO 4KV 1CH GATE DVR 8SO591 - Immédiatement$2.44Afficher les détails
EVAL BOARD FOR STGAP2GSEVSTGAP2GSEVAL BOARD FOR STGAP2GS20 - Immédiatement$78.00Afficher les détails
EVAL BOARD FOR STGAP2GSNEVSTGAP2GSNEVAL BOARD FOR STGAP2GSN20 - Immédiatement$78.00Afficher les détails
Date de publication : 2023-06-22