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Série IH d'IGBT STGWA40IH65DF
La série IH d'IGBT 650 V STGWA40IH65DF de STMicroelectronics est conçue pour optimiser le rendement de toutes les applications résonnantes et à commutation douce
La série IH d'IGBT 650 V à commutation douce de STMicroelectronics a été développée à l'aide d'une structure à grille en tranchée à champ limité (Field-Stop) propriétaire avancée, dont les performances sont optimisées en termes de pertes de commutation et par conduction pour la commutation douce. Une diode de roue libre à faible chute de tension directe est incluse. Il en résulte un produit spécialement conçu pour optimiser le rendement de toutes les applications résonnantes et à commutation douce.
Fonctionnalités
- Conçu pour une commutation douce uniquement
- Température de jonction maximum : TJ = 175°C
- VCE(sat) = 1,5 V (typ.) à IC = 40 A
- Courant de queue réduit
- Distribution stricte des paramètres
- Faible résistance thermique
- Diode de roue libre à faible chute de tension incluse
- Coefficient de température VCE(sat) positif
STGWA40IH65DF Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) IH Series
| Image | Référence fabricant | Description | Courant - Impulsion collecteur (Icm) | Vce(on) (max.) à Vge, Ic | Puissance - Max. | Quantité disponible | Prix | Afficher les détails | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | STGWA40IH65DF | IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247 | 120 A | 2V à 15V, 40A | 238 W | 0 - Immédiatement | $3.37 | Afficher les détails |
Date de publication : 2019-05-10
Suisse