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IGBT à champ limité et grille en tranchée de qualité automobile STBWA60V60DWFAG
L'IGBT à champ limité et grille en tranchée 600 V 60 A ultrahaute vitesse de qualité automobile de STMicroelectronics possède une diode de roue libre en SiC
Le dispositif STGWA60V60DWFAG de STMicroelectronics est un IGBT développé à l'aide d'une structure propriétaire avancée de champ limité et grille en tranchée. Le dispositif fait partie des IGBT de la série V, qui représente un compromis optimal entre les pertes de conduction et de commutation afin de maximiser le rendement des convertisseurs très haute fréquence. De plus, le coefficient de température positif VCE(sat) et la distribution très stricte des paramètres permettent un fonctionnement en parallèle plus sûr. Une diode en carbure de silicium a été choisie et conditionnée avec l'IGBT : aucun recouvrement n'est constaté lors de l'arrêt de la diode en SiC, et le comportement d'arrêt capacitif déjà minimal est indépendant de la température. Sa forte capacité de surtension avant garantit une bonne robustesse pendant les phases transitoires.
- Homologation AEC-Q101
- Température de jonction maximum : TJ = 175°C
- VCE(sat) = 1,85 V (typ.) à IC = 60 A
- Courant de commutation sans queue
- Distribution stricte des paramètres
- Faible résistance thermique
- Coefficient de température positif VCE(sat)
- La diode en carbure de silicium sans charge de recouvrement inverse est conditionnée en configuration roue libre
STGWA60V60DWFAG 600 V IGBT V series
| Image | Référence fabricant | Description | Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.) | Courant - Collecteur (Ic) (max.) | Courant - Impulsion collecteur (Icm) | Quantité disponible | Prix | Afficher les détails | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | STGWA60V60DWFAG | IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247 | 600 V | 80 A | 240 A | 600 - Immédiatement | $7.10 | Afficher les détails |
Suisse