Circuit d'attaque de grille IGBT isolé ISO5452 avec CMTI élevée

Texas Instruments présente son circuit d'attaque de grille isolé ISO5452 2,5 A/5 A pour transistors MOSFET et IGBT, avec sorties divisées et fonctionnalités de sécurité actives

Image du circuit d'attaque de grille IGBT isolé ISO5452 de TI avec CMTI élevéeLe dispositif ISO5452 de Texas Instruments est un circuit d'attaque de grille isolé renforcé de 5,7 kVeff. pour transistors MOSFET et IGBT avec sorties divisées, OUTH et OUTL, fournissant un courant source de 2,5 A et un courant absorbé de 5 A. Le côté entrée fonctionne à partir d'une simple alimentation de 2,25 V à 5,5 V. Le côté sortie permet une plage d'alimentations de 15 V minimum à 30 V maximum. Deux entrées CMOS complémentaires contrôlent l'état de sortie du circuit d'attaque de grille. Le temps de propagation court de 76 ns garantit un contrôle précis de l'étage de sortie.

Une détection des pannes de désaturation interne (DESAT) reconnaît le moment où l'IGBT se trouve en condition de surintensité. Lors d'une détection DESAT, une logique de mise en sourdine bloque immédiatement la sortie de l'isolateur et lance une procédure de mise hors tension progressive qui désactive OUTH et porte OUTL au niveau bas pendant une période de 2 μs. Lorsqu'OUTL atteint 2 V par rapport au potentiel d'alimentation le plus négatif, VEE2, la sortie du circuit d'attaque de grille est tirée fortement vers le potentiel VEE2, ce qui arrête immédiatement l'IGBT.

Lorsque la désaturation est active, un signal d'erreur est envoyé à travers la barrière d'isolement en tirant la sortie FLT vers le bas côté entrée et en bloquant l'entrée de l'isolateur. La logique de mise en sourdine est activée pendant la période de mise hors tension progressive. La condition de sortie FLT est verrouillée et peut être réinitialisée seulement après le passage de RDY à l'état haut, grâce à une impulsion active basse à l'entrée RST.

Lorsque l'IGBT est désactivé en fonctionnement normal avec une alimentation de sortie bipolaire, la sortie est bloquée à VEE2. Si l'alimentation de sortie est unipolaire, une fixation de Miller active peut être utilisée, ce qui permet au courant Miller d'être absorbé sur un chemin de faible impédance et évite la mise sous tension dynamique de l'IGBT dans des conditions de surtensions transitoires élevées.

La disponibilité opérationnelle du circuit d'attaque de grille est placée sous le contrôle de deux circuits de verrouillage en cas de sous-tension qui surveillent les alimentations côté entrée et côté sortie. Si l'un des côtés est insuffisamment alimenté, la sortie RDY passe à l'état bas. Dans le cas contraire, cette sortie est élevée.

L'ISO5452 est disponible en boîtier SOIC à 16 broches. Le fonctionnement du dispositif est spécifié sur une plage de températures ambiantes de -40°C à +125°C.

Fonctionnalités
  • CMTI (immunité transitoire en mode commun) de 50 kV/μs min. et 100 kV/µs typ. à VCM = 1500 V
  • Sorties divisées pour offrir des courants source de crête de 2,5 A et des courants absorbés de crête de 5 A
  • Délai de propagation court : 76 ns (typique), 110 ns (max.)
  • Fixation de Miller active de 2 A
  • Protection contre les courts-circuits en sortie
  • Mise hors tension progressive (STO) lors de courts-circuits
  • Alarme de panne en cas de détection de désaturation signalée sur FLT et réinitialisée via RST

ISO5452 Isolated IGBT Gate Driver with High CMTI

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Date de publication : 2016-02-15