Circuit d'attaque de FET GaN et de MOSFET demi-pont LMG1210

Le dispositif LMG1210 de Texas Instruments est un circuit d'attaque de transistor à effet de champ en nitrure de gallium (FET GaN) et de MOSFET en demi-pont de 200 V, conçu pour les applications à ultra-haute fréquence et haut rendement, offrant un temps de récupération ajustable, un temps de propagation extrêmement faible, ainsi qu'une adaptation haut potentiel/bas potentiel de 3,4 ns pour optimiser le rendement du système. Le dispositif dispose d'un LDO interne qui assure une tension de commande de grille de 5 V quelle que soit la tension d'alimentation.

Pour obtenir les meilleures performances dans diverses applications, le dispositif LMG1210 laisse le concepteur choisir la diode auto-élévatrice optimale en vue de charger le condensateur auto-élévateur haut potentiel. Un commutateur interne désactive la diode auto-élévatrice lorsque le bas potentiel est désactivé, ce qui empêche efficacement la surcharge de l'auto-élévateur haut potentiel, et minimise la charge de recouvrement inverse. La capacité parasite supplémentaire à travers le FET GaN est réduite à moins de 1 pF afin de réduire les pertes de commutation supplémentaires.

Le dispositif LMG1210 dispose de deux modes d'entrée de contrôle, le mode d'entrée indépendante (IIM) et le mode PWM. En mode IIM, chacune des sorties est contrôlée de façon indépendante par une entrée dédiée. En mode PWM, les deux signaux de sortie complémentaires sont générés à partir d'une seule entrée, et l'utilisateur peut régler le temps de récupération de 0 ns à 20 ns pour chaque front. Le dispositif LMG1210 fonctionne sur une plage de températures allant de -40°C à +125°C et il est proposé dans un boîtier WQFN à faible inductance.