Circuit d'attaque de grille monocanal de qualité automobile UCC21755-Q1
Le circuit d'attaque isolé et renforcé de Texas Instruments offre une protection active, une détection analogique isolée et une haute immunité transitoire en mode commun
Le dispositif UCC21755-Q1 de Texas Instruments est un circuit d'attaque de grille monocanal à isolation galvanique conçu pour les IGBT et les MOSFET en SiC jusqu'à une tension de fonctionnement de 2121 VCC ; il présente des fonctions de protection avancées, ainsi qu'une robustesse et des performances dynamiques inégalées. Le circuit d'attaque présente un courant de source et de réception de crête allant jusqu'à ±10 A. Le côté entrée est isolé du côté sortie avec une technologie d'isolation capacitive SiO2, prenant en charge une tension de fonctionnement jusqu'à 1,5 kVRMS, une immunité aux surtensions de 12,8 kVPK avec une durée de vie de la barrière d'isolation de plus de 40 ans, ainsi qu'un faible décalage pièce à pièce et une immunité au bruit en mode commun (CMTI) > 150 V/ns.
Le dispositif UCC21755-Q1 comprend des fonctionnalités de protection de pointe, telles que la détection rapide de surintensité et de court-circuit, la prise en charge de la détection de courant shunt, le rapport des défaillances, le blocage de Miller actif, et un UVLO pour l'alimentation côté entrée et sortie, afin d'optimiser la robustesse et le comportement de commutation des IGBT et des dispositifs en SiC. Le capteur analogique vers PWM isolé peut être utilisé pour une détection plus facile de la température et de la tension, ce qui augmente la polyvalence du circuit d'attaque et simplifie l'effort, la taille et le coût de conception du système.
- Circuit d'attaque de grille isolé monocanal de 5,7 kVRMS
- Qualification AEC-Q100 avec les résultats suivants :
- Plage de température ambiante de fonctionnement du dispositif grade 0 : -40°C à +150°C
- Classification DES du dispositif en HBM de niveau 3A et classification DES du dispositif en CDM de niveau C6
- Gestion de qualité avec sécurité fonctionnelle : documentation disponible pour faciliter la conception de systèmes de sécurité fonctionnelle
- IGBT et MOSFET en SiC jusqu'à 2121 V PK
- Tension de commande en sortie (VDD-V EE) : 33 V (max.)
- Puissance d'entraînement et sortie divisée : ±10 A
- CMTI : 150 V/ns (min.)
- Protection DESAT rapide avec temps de réponse de 200 ns et seuil de 5 V
- Blocage de Miller actif interne : 4 A
- Arrêt progressif en cas de défaillance : 400 mA
- Capteur analogique isolé avec une sortie PWM pour :
- Détection de température avec CTN, PTC ou diode thermique
- Liaison CC haute tension ou tension de phase
- Alarme FLT en cas de surintensité et réinitialisation à partir de RST/EN
- Réponse d'activation/désactivation rapide sur RST/EN
- Réjection du bruit transitoire < 40 ns, et impulsion sur les broches d'entrée
- UVLO VDD de 12 V avec Power Good sur RDY
- Entrées/sorties avec immunité aux tensions transitoires à dépassement négatif/positif jusqu'à 5 V
- Délai de propagation de 130 ns (max.) et décalage de pièce/impulsion de 130 ns (max.)
- Boîtier : SOIC-16 DW avec fuite en surface et distance de dégagement > 8 mm
- Plage de températures de jonction de fonctionnement : -40°C à +150°C
- Onduleurs de traction pour véhicules électriques
- Chargeurs embarqués et piles de charge
- Convertisseurs CC/CC pour véhicules électriques/hybrides
UCC21755-Q1 Automotive Single-Channel Gate Driver
Image | Référence fabricant | Description | Technologies | Nombre de canaux | Tension - Isolement | Quantité disponible | Prix | Afficher les détails | |
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![]() | ![]() | UCC21755QDWRQ1 | DGTL ISO 5.7KV 1CH GT DVR 16SOIC | Raccordement capacitif | 1 | 5700Vrms | 3032 - Immédiatement | $7.67 | Afficher les détails |
Evaluation Board
Image | Référence fabricant | Description | Type | Fonction | Circuit intégré/composant utilisé | Quantité disponible | Prix | Afficher les détails | |
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![]() | ![]() | UCC21750QDWEVM-025 | EVAL BOARD FOR UCC21750 | Gestion de l’alimentation | Circuit d’attaque de porte | UCC21750 | 5 - Immédiatement | $238.80 | Afficher les détails |