MOSFET à canal N haut rendement SIJK140E-T1-GE3

Le dispositif SIJK140E-T1-GE3 de Vishay est un MOSFET à canal N de pointe, exploitant la technologie TrenchFET Gen V pour offrir des performances exceptionnelles dans les applications de gestion d'alimentation. Ce MOSFET est conçu pour minimiser les pertes de puissance grâce à sa valeur R_DS(ON) de pointe, ce qui en fait un choix parfait pour la conversion et la gestion d'énergie à haut rendement. Avec une tension drain-source maximale de 40 V et un courant de drain continu allant jusqu'à 795 A, le SIJK140E-T1-GE3 est conçu pour gérer les environnements exigeants. Sa conception robuste comprend des tests Rg et UIS à 100 %, garantissant fiabilité et durabilité dans diverses applications. Le boîtier PowerPAK® 10 x 12 améliore les performances thermiques, ce qui en fait un choix adapté aux applications haute puissance où une dissipation thermique efficace est essentielle. Ce MOSFET est également sans plomb (Pb) et sans halogène, conformément aux normes de conformité environnementale.