MOSFET à canal N de 150 V SiRS5700DP

Le dispositif SiRS5700DP-T1-RE3 de Vishay est un MOSFET à canal N à la pointe de la technologie, doté de la technologie TrenchFET® Gen V. Ce MOSFET est conçu pour offrir des performances exceptionnelles avec une résistance R_DS(ON) très faible et un facteur de mérite élevé (FOM), ce qui le rend idéal pour un large éventail d'applications de gestion de l'alimentation. Avec une tension drain-source (V_DS) de 150 V et un courant de drain continu (I_D) jusqu'à 144 A, le SiRS5700DP-T1-RE3 assure une conversion de puissance efficace et une perte de puissance minimale. Sa conception robuste implique des tests Rg et UIS à 100 %, améliorant la dissipation de puissance et réduisant la résistance thermique (R_thJC). Le boîtier PowerPAK® SO-8S optimise encore les performances thermiques, ce qui rend ce MOSFET adapté aux applications à haute fiabilité. Qu'il soit utilisé dans le redressement synchrone, les convertisseurs CC/CC ou le contrôle d'entraînement de moteurs, le SiRS5700DP-T1-RE3 offre un rendement et une fiabilité inégalés.