MOSFET à canal N SISD5300DN de 30 V

Le MOSFET de puissance polyvalent TrenchFET® Gen V à canal N de 30 V de Vishay est doté d'une technologie Source Flip (inversion de source) dans un boîtier PowerPAK® 1212-F de 3,3 mm sur 3,3 mm. Occupant le même espace que le PowerPAK 1212-8S, le SiSD5300DN offre une résistance à l'état passant 18 % inférieure afin d'augmenter la densité de puissance, tandis que sa technologie Source Flip réduit la résistance thermique de +63°C/W à +56°C/W. Par ailleurs, le facteur de mérite (FOM) du SiSS52DN représente une amélioration de 35 % par rapport aux dispositifs de la génération précédente, ce qui se traduit par une réduction des pertes par conduction et de commutation pour économiser l'énergie dans les applications de conversion de puissance.

La technologie Source Flip du PowerPAK1212-F inverse les proportions habituelles des plots de masse et de source, étendant la surface du plot de masse pour fournir un chemin de dissipation thermique plus efficace et favoriser ainsi un fonctionnement à des températures plus basses. Dans le même temps, le PowerPAK 1212-F minimise l'étendue de la zone de commutation, ce qui contribue à réduire l'impact du bruit des pistes. Dans le boîtier PowerPAK 1212-F en particulier, la dimension du plot de source augmente d'un facteur 10, passant de 0,36 mm à 4,13 mm, ce qui permet une amélioration proportionnelle des performances thermiques. La conception de la grille centrale du PowerPAK1212-F simplifie également la mise en parallèle de plusieurs dispositifs sur un circuit imprimé monocouche.