EPC2001 EPC | Produits semi-conducteurs discrets

EPC2001 est obsolète et n'est plus fabriqué.

Substituts disponibles:

Direct

EPC

En stock: 50’347

Prix unitaire : Fr. 4.78000

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

EPC2001
Numéro de produit DigiKey	917-1014-2-ND - Bande et bobine
Fabricant	EPC
Numéro de produit du fabricant	EPC2001
Description	GANFET N-CH 100V 25A DIE OUTLINE
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 25 A (Ta) Montage en surface MATRICE
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	EPC
Série	eGaN®
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	GaNFET (nitrure de gallium)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	25 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	7mohms à 25A, 5V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 5mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	10 nC @ 5 V
Vgs (max.)	+6V, -5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	950 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	-
Température de fonctionnement	-40°C ~ 125°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	MATRICE
Boîtier	MATRICE
Numéro de produit de base	EPC20