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Canal N 100 V 8 A (Ta), 130 A (Tc) 2,1W (Ta), 500W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

AOB1100L

Numéro de produit DigiKey
785-1319-2-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
AOB1100L
Description
MOSFET N-CH 100V 8A/130A TO263
Référence client
Description détaillée
Canal N 100 V 8 A (Ta), 130 A (Tc) 2,1W (Ta), 500W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Afficher les attributs vides
Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
3,8V à 250µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
100 nC @ 10 V
Conditionnement
Bande et bobine
Vgs (max.)
±20V
Statut du composant
Obsolète
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
4833 pF @ 25 V
Type de FET
Dissipation de puissance (max.)
2,1W (Ta), 500W (Tc)
Technologies
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)
100 V
Type de montage
Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Boîtier
Rds On (max.) à Id, Vgs
11,7mohms à 20A, 10V
Numéro de produit de base
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (13)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
BUK7613-100E,118Nexperia USA Inc.5’6811727-1087-1-NDFr. 2.57000Similaire
FDB120N10onsemi34FDB120N10CT-NDFr. 2.50000Similaire
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IPB70N10S3L12ATMA1Infineon Technologies4’632448-IPB70N10S3L12ATMA1CT-NDFr. 2.84000Similaire
Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution.