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AOB1100L | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 785-1319-2-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | AOB1100L |
Description | MOSFET N-CH 100V 8A/130A TO263 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 100 V 8 A (Ta), 130 A (Tc) 2,1W (Ta), 500W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK) |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,8V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 100 nC @ 10 V |
Conditionnement Bande et bobine | Vgs (max.) ±20V |
Statut du composant Obsolète | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4833 pF @ 25 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 2,1W (Ta), 500W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 100 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK) |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 11,7mohms à 20A, 10V | Numéro de produit de base |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| BUK7613-100E,118 | Nexperia USA Inc. | 5’681 | 1727-1087-1-ND | Fr. 2.57000 | Similaire |
| FDB120N10 | onsemi | 34 | FDB120N10CT-ND | Fr. 2.50000 | Similaire |
| HUF75645S3ST | onsemi | 8’158 | HUF75645S3STCT-ND | Fr. 3.18000 | Similaire |
| HUFA75645S3S | onsemi | 1’296 | HUFA75645S3SCT-ND | Fr. 4.34000 | Similaire |
| IPB70N10S3L12ATMA1 | Infineon Technologies | 4’632 | 448-IPB70N10S3L12ATMA1CT-ND | Fr. 2.84000 | Similaire |










