AOK22N50L est obsolète et n'est plus fabriqué.
Substituts disponibles:

Similaire


Microchip Technology
En stock: 54
Prix unitaire : Fr. 3.50000
Fiche technique

Similaire


Microchip Technology
En stock: 70
Prix unitaire : Fr. 6.60000

Similaire


Infineon Technologies
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 1.14821
Fiche technique

Similaire


Vishay Siliconix
En stock: 701
Prix unitaire : Fr. 4.18000
Fiche technique

Similaire


Vishay Siliconix
En stock: 1’500
Prix unitaire : Fr. 6.86000
Fiche technique

Similaire


Vishay Siliconix
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 6.52000
Fiche technique

Similaire


IXYS
En stock: 28
Prix unitaire : Fr. 6.05000
Fiche technique

Similaire


IXYS
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 0.00000
Fiche technique

Similaire


IXYS
En stock: 683
Prix unitaire : Fr. 6.66000
Fiche technique

Similaire


IXYS
En stock: 10
Prix unitaire : Fr. 17.22000
Fiche technique

Similaire


IXYS
En stock: 198
Prix unitaire : Fr. 12.92000
Fiche technique

Similaire


IXYS
En stock: 0
Prix unitaire : Fr. 5.40000
Fiche technique

Similaire


IXYS
En stock: 328
Prix unitaire : Fr. 5.54000
Fiche technique

Similaire


IXYS
En stock: 174
Prix unitaire : Fr. 5.80000
Fiche technique
AOK20B65M2
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

AOK22N50L

Numéro de produit DigiKey
AOK22N50L-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
AOK22N50L
Description
MOSFET N-CH 500V 22A TO247
Référence client
Description détaillée
Canal N 500 V 22 A (Tc) 417W (Tc) Trou traversant TO-247
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
-
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
500 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
260mohms à 11A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
83 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
3710 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
417W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-247
Boîtier
Numéro de produit de base
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution.