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Toshiba Semiconductor and Storage
En stock: 2’590
Prix unitaire : Fr. 1.50000
Fiche technique
Canal N 100 V 6,5 A (Ta), 26 A (Tc) 2W (Ta), 35W (Tc) Montage en surface 8-DFN (5x6)
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Canal N 100 V 6,5 A (Ta), 26 A (Tc) 2W (Ta), 35W (Tc) Montage en surface 8-DFN (5x6)
8-DFN Top

AON6452

Numéro de produit DigiKey
785-1231-2-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
AON6452
Description
MOSFET N-CH 100V 6.5A/26A 8DFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
16 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 100 V 6,5 A (Ta), 26 A (Tc) 2W (Ta), 35W (Tc) Montage en surface 8-DFN (5x6)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
34 nC @ 10 V
Série
Vgs (max.)
±25V
Conditionnement
Bande et bobine
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2200 pF @ 50 V
Statut du composant
Actif
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta), 35W (Tc)
Type de FET
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies
Type de montage
Montage en surface
Tension drain-source (Vdss)
100 V
Boîtier fournisseur
8-DFN (5x6)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
7V, 10V
Numéro de produit de base
Rds On (max.) à Id, Vgs
25mohms à 20A, 10V
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (1)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
TPN30008NH,LQToshiba Semiconductor and Storage2’590TPN30008NHLQCT-NDFr. 1.50000Similaire
Disponible sur commande
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Tous les prix sont en CHF
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
3’000Fr. 0.51446Fr. 1’543.38
6’000Fr. 0.48150Fr. 2’889.00
9’000Fr. 0.46473Fr. 4’182.57
15’000Fr. 0.46253Fr. 6’937.95
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:Fr. 0.51446
Prix unitaire avec TVA:Fr. 0.55613