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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
AOT412 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 785-1241-5-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | AOT412 |
Description | MOSFET N-CH 100V 8.2A/60A TO220 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 100 V 8,2 A (Ta), 60 A (Tc) 2,6W (Ta), 150W (Tc) Trou traversant TO-220 |
Fiche technique | Fiche technique |
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,8V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 54 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±25V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3220 pF @ 50 V |
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions | Dissipation de puissance (max.) 2,6W (Ta), 150W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 100 V | Boîtier fournisseur TO-220 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 7V, 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 15,8mohms à 20A, 10V |
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Substituts (7)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| CSD19534KCS | Texas Instruments | 1’028 | 296-38676-5-ND | Fr. 1.70000 | Similaire |
| FDP150N10 | onsemi | 0 | FDP150N10-ND | Fr. 2.66000 | Similaire |
| FDP150N10A-F102 | onsemi | 0 | FDP150N10A-F102-ND | Fr. 2.70000 | Similaire |
| HUF75645P3 | onsemi | 64 | HUF75645P3-ND | Fr. 2.96000 | Similaire |
| IXTP60N10T | IXYS | 0 | IXTP60N10T-ND | Fr. 3.25000 | Similaire |
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Disponible sur commande
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Quantité
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Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1’000 | Fr. 0.74039 | Fr. 740.39 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 0.74039 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 0.80036 |
