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AOT66616L | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 785-1825-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | AOT66616L |
Description | MOSFET N-CH 60V 38.5A/140A TO220 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 20 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 60 V 38,5A (Ta), 140A (Tc) 8,3W (Ta), 125W (Tc) Trou traversant TO-220 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 60 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2870 pF @ 30 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 8,3W (Ta), 125W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 60 V | Boîtier fournisseur TO-220 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 3,2mohms à 20A, 10V |
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Substituts (4)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| FDP030N06B-F102 | onsemi | 368 | FDP030N06B-F102-ND | Fr. 2.50000 | Similaire |
| IPP029N06NAKSA1 | Infineon Technologies | 518 | 448-IPP029N06NAKSA1-ND | Fr. 3.26000 | Similaire |
| IPP034NE7N3GXKSA1 | Infineon Technologies | 502 | IPP034NE7N3GXKSA1-ND | Fr. 4.25000 | Similaire |
| IRFB3206GPBF | Infineon Technologies | 0 | IRFB3206GPBF-ND | Fr. 1.19277 | Similaire |
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Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1’000 | Fr. 1.29683 | Fr. 1’296.83 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 1.29683 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 1.40187 |
