NVSRAM (SRAM non volatile) Mémoire IC 2Mb Parallèle 100 ns 40-EDIP
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DS1258Y-100

Numéro de produit DigiKey
DS1258Y-100-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
DS1258Y-100
Description
IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 40EDIP
Référence client
Description détaillée
NVSRAM (SRAM non volatile) Mémoire IC 2Mb Parallèle 100 ns 40-EDIP
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
DS1258Y-100 Modèles
Attributs du produit
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Catégorie
Interface mémoire
Parallèle
Fabricant
Temps de cycle d'écriture - Mot, page
100ns
Conditionnement
Tube
Temps d'accès
100 ns
Statut du composant
Obsolète
Tension - Alimentation
4,5V ~ 5,5V
Programmable DigiKey
Non vérifié
Température de fonctionnement
0°C ~ 70°C (TA)
Type de mémoire
Non volatile
Type de montage
Trou traversant
Format mémoire
Boîtier
Technologies
NVSRAM (SRAM non volatile)
Boîtier fournisseur
40-EDIP
Taille mémoire
Numéro de produit de base
Organisation de la mémoire
128K x 16
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Obsolète
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