Name: AS1M080120P
Brand: ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
SKU: 4530-AS1M080120P-ND
Price: 11.64237 CHF
Availability: OutOfStock

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AS1M080120P
Numéro de produit DigiKey	4530-AS1M080120P-ND
Fabricant	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Numéro de produit du fabricant	AS1M080120P
Description	N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	4 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 36 A (Tc) 192W (Tc) Trou traversant TO-247-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	36 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	20V
Rds On (max.) à Id, Vgs	98mohms à 20A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 5mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	79 nC @ 20 V
Vgs (max.)	+25V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1475 pF @ 1000 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	192W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	TO-247-3
Boîtier	TO-247-3

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Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 10.77000	Fr. 10.77
30	Fr. 6.53533	Fr. 196.06
120	Fr. 5.60808	Fr. 672.97
510	Fr. 5.42690	Fr. 2’767.72

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.