Name: CGD65B130SH2
Brand: Cambridge GaN Devices
SKU: 4768-CGD65B130SH2TR-ND
Price: 6.38871 CHF
Availability: InStock

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CGD65B130SH2
Numéro de produit DigiKey	4768-CGD65B130SH2TR-ND - Bande et bobine 4768-CGD65B130SH2CT-ND - Bande coupée (CT) 4768-CGD65B130SH2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Cambridge GaN Devices
Numéro de produit du fabricant	CGD65B130SH2
Description	650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN5X6.
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	26 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 12A Montage en surface 8-DFN (5x6)
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 12V
Fabricant Cambridge GaN Devices	Rds On (max.) à Id, Vgs 182mohms à 900mA, 12V
Série ICeGaN™	Vgs(th) (max.) à Id 4,2V à 4,2mA
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 1.9 nC @ 12 V
Statut du composant Actif	Vgs (max.) +20V, -1V
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies GaNFET (nitrure de gallium)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Boîtier fournisseur 8-DFN (5x6)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 12A	Boîtier 8-PowerVDFN