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Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples NPN 30 V 50 mA 150MHz 1.5 W Trou traversant TO-92-3
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2N5963 TRE TIN/LEAD

Numéro de produit DigiKey
1514-2N5963TRETIN/LEADTR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
2N5963 TRE TIN/LEAD
Description
30V 50MA 625MW TH TRANSISTOR-SMA
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
30 semaines
Référence client
Description détaillée
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples NPN 30 V 50 mA 150MHz 1.5 W Trou traversant TO-92-3
Attributs du produit
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Catégorie
Courant - Résiduel de collecteur (max.)
2 nA (ICBO)
Fabricant
Gain de courant CC (hFE) (min.) à Ic, Vce
1200 à 10mA, 5V
Conditionnement
Bande et bobine
Puissance - Max.
1.5 W
Statut du composant
Actif
Fréquence - Transition
150MHz
Type de transistor
Température de fonctionnement
-65°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Collecteur (Ic) (max.)
50 mA
Type de montage
Trou traversant
Tension - Claquage collecteur-émetteur (max.)
30 V
Boîtier
TO-226-3, TO-92-3 boîtier standard (TO-226AA)
Saturation Vce (max.) à Ib, Ic
200mV à 500µA, 10mA
Boîtier fournisseur
TO-92-3
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (5)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
2N5963 APM PBFREECentral Semiconductor Corp01514-2N5963APMPBFREETB-NDFr. 0.11397Équivalent paramétrique
2N5963 APM TIN/LEADCentral Semiconductor Corp01514-2N5963APMTIN/LEADTB-NDFr. 0.13112Équivalent paramétrique
2N5963 PBFREECentral Semiconductor Corp01514-2N5963PBFREE-NDFr. 0.10744Équivalent paramétrique
2N5963 TIN/LEADCentral Semiconductor Corp01514-2N5963TIN/LEAD-NDFr. 0.11730Équivalent paramétrique
2N5963 TRE PBFREECentral Semiconductor Corp01514-2N5963TREPBFREETR-NDFr. 0.10489Équivalent paramétrique
Disponible sur commande
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Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
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