Name: CDF56G6517N TR13 PBFREE
Brand: Central Semiconductor Corp
SKU: 1514-CDF56G6517NTR13PBFREETR-ND
Price: 5.89145 CHF
Availability: InStock

Canal N 650 V 17 A (Tc) 1,1W (Ta), 113W (Tc) Montage en surface, joints de brasure visibles 8-DFN (5x6)

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

CDF56G6517N TR13 PBFREE
Numéro de produit DigiKey	1514-CDF56G6517NTR13PBFREETR-ND - Bande et bobine 1514-CDF56G6517NTR13PBFREECT-ND - Bande coupée (CT) 1514-CDF56G6517NTR13PBFREEDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Central Semiconductor Corp
Numéro de produit du fabricant	CDF56G6517N TR13 PBFREE
Description	650V, 17A, N-CHANNEL GAN FET IN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	25 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 17 A (Tc) 1,1W (Ta), 113W (Tc) Montage en surface, joints de brasure visibles 8-DFN (5x6)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	CDF56G6517N TR13 PBFREE Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 17,2mA
Fabricant Central Semiconductor Corp	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 3.5 nC @ 6 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) +7V, -1,4V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 125 pF @ 400 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 1,1W (Ta), 113W (Tc)
Technologies GaNFET (nitrure de gallium)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Type de montage Montage en surface, joints de brasure visibles
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 17 A (Tc)	Boîtier fournisseur 8-DFN (5x6)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V	Boîtier 8-PowerVDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 140mohms à 5A, 6V