Canal N 20 V 3,2 A (Ta) 350mW (Ta) Montage en surface SOT-23F
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

CMPDM203NH TR

Numéro de produit DigiKey
CMPDM203NHTR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Central Semiconductor Corp
Numéro de produit du fabricant
CMPDM203NH TR
Description
MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23F
Référence client
Description détaillée
Canal N 20 V 3,2 A (Ta) 350mW (Ta) Montage en surface SOT-23F
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Central Semiconductor Corp
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
3,2 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
2,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs
50mohms à 1,6A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id
1,2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
12V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
395 pF @ 10 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
350mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
SOT-23F
Boîtier
SOT-23-3 broches plates
Questions et réponses sur les produits

Consultez les questions des ingénieurs, posez vos propres questions ou aidez un membre de la communauté technique DigiKey

Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Types de conditionnement alternatifs.
Non annulable/Non remboursable