CMPDM302PH TR est obsolète et n'est plus fabriqué.
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Toshiba Semiconductor and Storage
En stock: 31’698
Prix unitaire : Fr. 0.31000
Fiche technique
Canal P 30 V 2,4 A (Ta) 350mW (Ta) Montage en surface SOT-23F
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CMPDM302PH TR

Numéro de produit DigiKey
CMPDM302PHTR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
CMPDM302PH TR
Description
MOSFET P-CH 30V 2.4A SOT-23F
Référence client
Description détaillée
Canal P 30 V 2,4 A (Ta) 350mW (Ta) Montage en surface SOT-23F
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
1,4V à 250µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
9.6 nC @ 5 V
Conditionnement
Bande et bobine
Vgs (max.)
12V
Statut du composant
Obsolète
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
800 pF @ 10 V
Type de FET
Dissipation de puissance (max.)
350mW (Ta)
Technologies
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)
30 V
Type de montage
Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier fournisseur
SOT-23F
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
2,5V, 4,5V
Boîtier
Rds On (max.) à Id, Vgs
91mohms à 1,2A, 4,5V
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (1)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
SSM3J334R,LFToshiba Semiconductor and Storage31’698SSM3J334RLFCT-NDFr. 0.31000Similaire
Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution ou Types de conditionnement alternatifs.
Non annulable/Non remboursable