CMPDM302PH TR est obsolète et n'est plus fabriqué.
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En stock: 35’340
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Fiche technique
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Canal P 30 V 2,4 A (Ta) 350mW (Ta) Montage en surface SOT-23F
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CMPDM302PH TR

Numéro de produit DigiKey
CMPDM302PHTR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Central Semiconductor Corp
Numéro de produit du fabricant
CMPDM302PH TR
Description
MOSFET P-CH 30V 2.4A SOT-23F
Référence client
Description détaillée
Canal P 30 V 2,4 A (Ta) 350mW (Ta) Montage en surface SOT-23F
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Central Semiconductor Corp
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Canal P
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
2,4 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
2,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs
91mohms à 1,2A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id
1,4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
9.6 nC @ 5 V
Vgs (max.)
12V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
800 pF @ 10 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
350mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
SOT-23F
Boîtier
SOT-23-3 broches plates
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Obsolète
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Non annulable/Non remboursable