CDBJFSC8650-G Comchip Technology | Produits semi-conducteurs discrets

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

CDBJFSC8650-G
Numéro de produit DigiKey	641-1937-ND
Fabricant	Comchip Technology
Numéro de produit du fabricant	CDBJFSC8650-G
Description	DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220F
Référence client
Description détaillée	Diode 650 V 8A Trou traversant TO-220F
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Diodes Redresseurs Diodes simples
Fabricant	Comchip Technology
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Technologies	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (max.)	650 V
Courant - Moyen redressé (Io)	8A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If	1.7 V @ 8 A
Vitesse	Pas de temps de recouvrement > 500mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)	0 ns
Courant - Fuite inverse à Vr	100 µA @ 650 V
Capacité à Vr, F	560pF à 0V, 1MHz
Type de montage	Trou traversant
Boîtier	Boîtier comple TO-220-2
Boîtier fournisseur	TO-220F
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 175°C
Numéro de produit de base	CDBJFSC8650

Questions et réponses sur les produits

Consultez les questions des ingénieurs, posez vos propres questions ou aidez un membre de la communauté technique DigiKey

En stock: 479

Vérifier les stocks entrants supplémentaires

Ce produit n'est plus fabriqué et ne sera plus stocké une fois le stock épuisé. Voir Produits de substitution.

Quantité

Tous les prix sont en CHF

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 4.01000	Fr. 4.01
50	Fr. 2.08400	Fr. 104.20
100	Fr. 1.89770	Fr. 189.77

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.