CDBJSC5650-G Comchip Technology | Produits semi-conducteurs discrets

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CDBJSC5650-G
Numéro de produit DigiKey	641-1940-ND
Fabricant	Comchip Technology
Numéro de produit du fabricant	CDBJSC5650-G
Description	DIODE SIL CARBIDE 650V 5A TO220F
Référence client
Description détaillée	Diode 650 V 5A Trou traversant TO-220F
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Diodes Redresseurs Diodes simples
Fabricant	Comchip Technology
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Technologies	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tension - CC inverse (Vr) (max.)	650 V
Courant - Moyen redressé (Io)	5A
Tension - Directe (Vf) (max.) à If	1.7 V @ 5 A
Vitesse	Pas de temps de recouvrement > 500mA (Io)
Temps de recouvrement inverse (trr)	0 ns
Courant - Fuite inverse à Vr	100 µA @ 650 V
Capacité à Vr, F	430pF à 0V, 1MHz
Type de montage	Trou traversant
Boîtier	Boîtier comple TO-220-2
Boîtier fournisseur	TO-220F
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 175°C
Numéro de produit de base	CDBJSC5650

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En stock: 453

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Quantité

Tous les prix sont en CHF

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 3.06000	Fr. 3.06
50	Fr. 1.55240	Fr. 77.62
100	Fr. 1.40620	Fr. 140.62

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.