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1N5818-B est obsolète et n'est plus fabriqué.
Substituts disponibles:
Direct
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
En stock: 6’115
Prix unitaire : Fr. 0.55000
Fiche technique
Direct
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En stock: 4’747
Prix unitaire : Fr. 0.55000
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En stock: 8’778
Prix unitaire : Fr. 0.61000
Fiche technique
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
1N5818-B | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 1N5818-BDI-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | 1N5818-B |
Description | DIODE SCHOTTKY 30V 1A DO41 |
Référence client | |
Description détaillée | Diode 30 V 1A Trou traversant DO-41 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | 1N5818-B Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Vitesse Récupération rapide =< 500ns, > 200mA (Io) |
Fabricant | Courant - Fuite inverse à Vr 1 mA @ 30 V |
Conditionnement En vrac | Capacité à Vr, F 110pF à 4V, 1MHz |
Statut du composant Obsolète | Type de montage |
Technologies | Boîtier |
Tension - CC inverse (Vr) (max.) 30 V | Boîtier fournisseur DO-41 |
Courant - Moyen redressé (Io) 1A | Température de fonctionnement - Jonction -65°C ~ 125°C |
Tension - Directe (Vf) (max.) à If 550 mV @ 1 A | Numéro de produit de base |
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Substituts (6)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| 1N5818-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 6’115 | 1N5818-E3/54GICT-ND | Fr. 0.55000 | Direct |
| 1N5818RLG | onsemi | 11’231 | 1N5818RLGOSCT-ND | Fr. 0.49000 | Direct |
| 1N5818 | Microchip Technology | 0 | 150-1N5818-ND | Fr. 4.76262 | Similaire |
| 1N5818 | STMicroelectronics | 53’399 | 497-4548-1-ND | Fr. 0.28000 | Similaire |
| SB130-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 4’747 | SB130-E3/54GICT-ND | Fr. 0.55000 | Similaire |
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