Name: DMG3415UFY4Q-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG3415UFY4Q-7DITR-ND
Price: 0.51888 CHF
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

DMG3415UFY4Q-7
Numéro de produit DigiKey	DMG3415UFY4Q-7DITR-ND - Bande et bobine DMG3415UFY4Q-7DICT-ND - Bande coupée (CT) DMG3415UFY4Q-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMG3415UFY4Q-7
Description	MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 16 V 2,5 A (Ta) 650mW (Ta) Montage en surface X2-DFN2015-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	DMG3415UFY4Q-7 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	16 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	2,5 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,8V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	39mohms à 4A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	10 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	282 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	650mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	X2-DFN2015-3
Boîtier	3-XDFN
Numéro de produit de base	DMG3415