Name: DMG4800LK3-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG4800LK3-13DITR-ND
Price: 0.59455 CHF
Availability: InStock

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DMG4800LK3-13
Numéro de produit DigiKey	DMG4800LK3-13DITR-ND - Bande et bobine DMG4800LK3-13DICT-ND - Bande coupée (CT) DMG4800LK3-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMG4800LK3-13
Description	MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 10 A (Ta) 1,71W (Ta) Montage en surface TO-252-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	10 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	17mohms à 9A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	1,6V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	8.7 nC @ 5 V
Vgs (max.)	±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	798 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,71W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-252-3
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	DMG4800

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