Name: DMN1019UVT-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN1019UVT-13DI-ND
Price: 0.11853 CHF
Availability: OutOfStock

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Diodes Incorporated

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DMN1019UVT-13
Numéro de produit DigiKey	DMN1019UVT-13DI-ND - Bande et bobine
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN1019UVT-13
Description	MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 12 V 10,7 A (Ta) 1,73W (Ta) Montage en surface TSOT-26
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 800mV à 250µA
Fabricant Diodes Incorporated	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 50.4 nC @ 8 V
Conditionnement Bande et bobine	Vgs (max.) ±8V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2588 pF @ 10 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 1,73W (Ta)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 12 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 10,7 A (Ta)	Boîtier fournisseur TSOT-26
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,2V, 4,5V	Boîtier SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
Rds On (max.) à Id, Vgs 10mohms à 9,7A, 4,5V	Numéro de produit de base DMN1019