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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
DMN10H170SVT-13 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | DMN10H170SVT-13DI-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | DMN10H170SVT-13 |
Description | MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 40 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 100 V 2,6 A (Ta) 1,2W (Ta) Montage en surface TSOT-26 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 9.7 nC @ 10 V |
Conditionnement Bande et bobine | Vgs (max.) ±20V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1167 pF @ 25 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 1,2W (Ta) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 100 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TSOT-26 |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 160mohm à 5A, 10V | Numéro de produit de base |
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Substituts (3)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| DMN10H170SVT-7 | Diodes Incorporated | 3’997 | DMN10H170SVT-7DICT-ND | Fr. 0.72000 | Équivalent paramétrique |
| DMN10H170SVTQ-13 | Diodes Incorporated | 0 | DMN10H170SVTQ-13-ND | Fr. 0.16375 | Équivalent paramétrique |
| DMN10H170SVTQ-7 | Diodes Incorporated | 646 | DMN10H170SVTQ-7DICT-ND | Fr. 0.74000 | Équivalent paramétrique |
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Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10’000 | Fr. 0.13856 | Fr. 1’385.60 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 0.13856 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 0.14978 |
