Name: DMN2002UFG-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN2002UFG-13TR-ND
Price: 0.29445 CHF
Availability: OutOfStock

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DMN2002UFG-13
Numéro de produit DigiKey	31-DMN2002UFG-13TR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN2002UFG-13
Description	IC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 20 V 180 A (Tc) 600mW (Ta) Montage en surface POWERDI3333-8
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 1,3V à 250µA
Fabricant Diodes Incorporated	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 99 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine	Vgs (max.) ±12V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3926 pF @ 10 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 600mW (Ta)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 20 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 180 A (Tc)	Boîtier fournisseur POWERDI3333-8
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 2,5V, 10V	Boîtier 8-PowerVDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,4mohms à 10A, 10V

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Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
DMN2002UFG-7	Diodes Incorporated	0	31-DMN2002UFG-7TR-ND	Fr. 0.30400	Équivalent paramétrique

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DMN2002UFG-13